C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/06 (2006.01) C01B 33/06 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01) H01L 31/101 (2006.01)
Patent
CA 2470332
Perfect amorphous ferrosilicide exhibiting semiconductor characteristics close to those of .beta.-FeSi2 is not yet obtained by cluster ion beam deposition method, molecular beam epitaxial growth method, ion implantation method, or RF magnetron sputtering method. An amorphous FeSi2 film exhibiting semiconductor characteristics is obtained by growing FeSi2as a nongranular flat film, i.e. a continuous film, on a substrate of 400~C or below by sputtering under Ar gas pressure of 5 mTorr or below using an FeSi2alloy target having a component atom ratio between Fe and Si of 1:2. Facing target sputtering system is especially preferable as a sputtering system.
L'invention concerne un ferrosiliciure amorphe parfait présentant des caractéristiques semiconductrices proches de celle de .beta.-FeSi¿2?. Pourtant, ce ferrosiliciure n'est pas obtenu selon les procédés de dépôt par faisceau d'ions agglomérés, de croissance épitaxiale par jets moléculaires, d'implantation ionique ou de pulvérisation magnétron RF. Une couche de FeSi¿2? amorphe, présentant des caractéristiques semiconductrices, est obtenue par croissance de FeSi¿2? sous forme de couche plate non granuleuse, c.-à-d. de couche continue, sur un substrat à une température inférieure ou égale à 400 ·C par pulvérisation sous une pression de gaz argon inférieure ou égale à 5 mTorr à l'aide d'une cible d'alliage FeSi¿2? présentant un rapport atomique Fe/Si de 1:2, le système de pulvérisation avec cibles face à face étant un système de pulvérisation préféré.
Japan Science And Technology Agency
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1691000