C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/54 (2006.01) B05D 7/24 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01)
Patent
CA 2217543
The present invention discloses an apparatus and process for continuously processing a film by CVD technique in which a very thin organic compound coating with special functions such as water repellency is formed continuously and stably on a continuously running film. The present invention provides an apparatus for continuously processing a film by CVD technique, comprising a vacuum vessel, a vacuum pump connected to said vacuum vessel, a vessel which is filled with a compound capable of forming an organic compound coating when plasma-polymerized and can heat the compound for vaporization, a feed roll system for continuously feeding a film into said vacuum vessel, a take-up roll system for taking up the film after chemical vapor deposition, a specific film running region to allow chemical vapor deposition on the surface of the running film continuously fed from the feed roll system and a plasma generation region adjacent to said specific running region, respectively provided between said feed roll system and said take-up roll system, and a piping installation connecting said heatable vessel and the inside of said vacuum vessel, to introduce said compound vaporized in said heatable vessel into the plasma generation region, and also provides a process for continuously processing a film by CVD technique, comprising the step of continuously forming an organic compound coating on a continuously running film by using said apparatus.
La présente invention concerne un atelier de dépôt chimique en phase vapeur destiné, sur un film en défilement continu, à constituer un revêtement organique continu et stable, extrêmement fin, doté de caractéristiques spéciales telles que l'hydrophobicité. L'invention concerne également un procédé correspondant de dépôt chimique en phase vapeur. L'atelier est principalement constitué d'une chambre à dépression, d'une pompe à dépression raccordée à la chambre à dépression, et d'un réservoir chauffable contenant, à l'état de vapeur, un composé organique susceptible de se polymériser à l'état plasmatique de façon à former un film. La chambre à dépression est équipée intérieurement d'un système de cylindres débiteurs d'alimentation en continu et d'un système de cylindres enrouleurs assurant l'enroulement du film traité par dépôt chimique en phase vapeur. L'atelier est constitué également, d'un poste spécial de défilement pour la conduite des opérations de dépôt chimique en phase vapeur sur le film débité par le système de cylindres débiteurs, et dans le prolongement de ce poste, d'un poste de génération de plasma, les deux postes étant situés entre le système de cylindres débiteurs et le système de cylindres enrouleurs. L'atelier comporte en outre un réservoir donnant, via un tuyau, à l'intérieur de la chambre à dépression pour alimenter le poste de génération de plasma en vapeur du composé généré dans le réservoir. L'invention concerne également un procédé de dépôt chimique en phase vapeur convenant à la formation en continu d'un revêtement de composé organique sur un film en défilement continu dans l'atelier de l'invention.
Aoyagi Tsutomu
Mochizuki Kiyohito
Tohyama Shunroku
Yamashita Masayuki
Smart & Biggar
Toyo Metallizing Co. Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1775393