C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/32 (2006.01) C23C 14/22 (2006.01) H01J 37/305 (2006.01)
Patent
CA 2190086
A gas jet film deposition system includes a source of thermion- ically emitted electrons (70) which are accelerated through carrier gas (58) and generate He ions by impact ionization. The resultant electron avalanching and multiplication generates an extremely dense plasma, and produces large electron currents. The electron current is collected at a free, high electric field end of a crucible (72). The present system can generate vaporized evaporant which is entrained in the gas jet and thereby provide a high density source of ions. The ions may be pre- sented to a substrate together with or without the evaporant.
Un dispositif à jet de gaz permettant le dépôt en phase vapeur d'un film, comporte une source d'émission thermoélectronique; les électrons (70) ainsi émis sont accélérés par le biais d'un gaz porteur (58) et produisent des ions hélium par ionisation d'impact. L'avalanche d'électrons ainsi que la multiplication qui en résultent, créent un plasma extrêmement dense et produisent d'intenses courants d'électrons. C'est sur une extrémité libre d'un champ électrique élevé d'un creuset (72) que ce courant d'électrons est recueilli. Ce dispositif peut engendrer un évaporant vaporisé qui est entraîné dans le jet de gaz et, partant, constitue une source à haute densité d'ions. Il est possible d'envoyer ces derniers sur un substrat avec ou sans l'évaporant.
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Jet Process Corporation
LandOfFree
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