H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 51/00 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/84 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/40 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)
Patent
CA 2334862
An integrated organic/inorganic complementary thin-film transistor circuit comprises a first and a second transistor which are operatively connected on a common substrate, wherein the first transistor is an inorganic thin-film transistor and the second an organic thin-film transistor. The inorganic thin-film transistor is an n-channel transistor and the organic thin-film transistor is a p-channel transistor or vice versa. Each of the transistors has a separate gate electrode and the organic active semiconductor material is in the case of a p-channel semiconductor in the organic thin-film transistor electrically isolated from the inorganic thin-film transistor. In a first method for fabricating a transistor circuit of this kind separate gate electrodes are deposited for each transistor on a common substrate, the material for the source and the drain electrode of the organic thin-film transistor are deposited on the same layer level in the thin-film structure of the organic thin-film transistor and in each case the organic active semiconductor material in an organic p-channel transistor is provided electrically isolated from the inorganic n-channel transistor, and the organic active semiconductor material in an organic n-channel transistor optionally electrically isolated from the inorganic p-channel transistor. In a more specific method for fabricating a complementary transistor circuit the inorganic active semiconductor is deposited in the form of hydrogenated amorphous silicon and an n+ doped layer of a silicon material is deposited as respectively source and drain areas in the organic transistor. A layer of pentacene is deposited over an isolated layer which is patterned such that the pentacene which forms the active semiconductor in the organic thin-film transistor is isolated electrically from the inorganic thin-film transistor.
La présente invention concerne un circuit à transistors complémentaires inorganique/organique intégrés à couches minces comprenant un premier et un deuxième transistor fonctionnellement reliés sur un substrat commun, le premier transistor étant un transistor à couches minces inorganique et le deuxième, un transistor à couches minces organique. Le transistor à couches minces inorganique est un transistor à canal n et le transistor à couches minces organique, un transistor à canal p, ou vice-versa. Chaque transistor possède une électrode de grille séparée et, dans le cas d'un semiconducteur à canal p d'un transistor à couches minces organique, le matériau semiconducteur actif organique est électriquement isolé du transistor à couches minces inorganique. Selon un premier procédé de fabrication d'un circuit à transistors de ce type, des électrodes de grille séparées sont déposées pour chaque transistor sur un substrat commun, le matériau de la source et du drain du transistor à couches minces organique est déposé sur un même niveau de couche dans la structure de couches minces du transistor à couches minces organique, et dans chaque cas, le matériau semiconducteur actif organique du transistor organique à canal p est électriquement isolé du transistor inorganique à canal n, et le matériau semiconducteur actif organique du transistor organique à canal n est facultativement électriquement isolé du transistor inorganique à canal p. Dans un procédé plus spécifique de fabrication d'un circuit à transistors complémentaires, le semiconducteur inorganique actif est déposé sous la forme de silicium amorphe hydrogéné et une couche dopée n<+> d'un matériau silicium est déposée dans les zones de drain et de source respectives du transistor organique. Une couche de pentacène est déposée sur une couche isolée dont le motif est tel que le pentacène qui forme le semiconducteur actif du transistor à couches minces organique est électriquement isolé du transistor à couches minces inorganique.
Bonse Mathias
Gundlach David J.
Hagen Klauk
Jackson Thomas
Thomasson Daniel B.
Bonse Mathias
Gundlach David J.
Hagen Klauk
Jackson Thomas
Norton Rose Or S.e.n.c.r.l. S.r.l./llp
LandOfFree
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