Annealing of semi-insulating cdznte crystals

Details Annealing of semi-insulating cdznte crystals Annealing of semi-insulating cdznte crystals

C - Chemistry, Metallurgy

30

B

C30B 33/02 (2006.01)

Patent

CA 2726986

In a method of annealing a Cd1-x Z n x T e sam-ple/wafer, surface contamination is removed from the sam-ple/wafer and the sample/wafer is then introduced into a chamber. The chamber is evacuated and Hydrogen or Deu-terium gas is introduced into the evacuated chamber. The sample/wafer is heated to a suitable annealing temperature in the presence of the Hydrogen or Deuterium gas for a predetermined period of time.

L'invention concerne un procédé de recuit d'un échantillon/plaquette de Cd1-xZnxTe, dans lequel une contamination de surface est supprimée de l'échantillon/plaquette et l'échantillon/plaquette est ensuite introduit dans une chambre. La chambre est mise sous vide et de l'hydrogène ou du deutérium gazeux est introduit dans la chambre mise sous vide. L'échantillon/plaquette est chauffé(e) à une température de recuit adaptée en présence d'hydrogène ou de deutérium gazeux pendant une période de temps prédéterminée.

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