H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/66 (2006.01) G11C 11/40 (2006.01) G11C 17/16 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H03K 19/177 (2006.01)
Patent
CA 2647233
An anti-fuse memory cell having a variable thickness gate oxide. The variable thickness gate oxide has a thick gate oxide portion and a thin gate oxide portion, where the thing gate oxide portion has at least one dimension less than a minimum feature size of a process technology. The thin gate oxide can be rectangular in shape or triangular in shape. The anti-fuse transistor can be used in a two-transistor memory cell having an access transistor with a gate oxide substantially identical in thickness to the thick gate oxide of the variable thickness gate oxide of the anti-fuse transistor.
La présente invention a trait à une cellule de mémoire anti-fusible dotée d'un oxyde de grille à épaisseur variable. L'oxyde de grille à épaisseur variable est pourvu d'une partie d'oxyde de grille épaisse et d'une partie d'oxyde de grille mince, laquelle partie d'oxyde de grille mince présente au moins une taille inférieure à une taille minimale des composants d'une technologie de procédés de fabrication. La partie d'oxyde de grille mince peut présenter une forme rectangulaire ou une forme triangulaire. Le transistor anti-fusible peut être utilisé dans une cellule de mémoire à deux transistors équipée d'un transistor d'accès doté d'un oxyde de grille sensiblement identique en termes d'épaisseur à l'oxyde de grille épais de l'oxyde de grille à épaisseur variable du transistor anti-fusible.
Kurjanowicz Wlodek
Smith Steven
Borden Ladner Gervais Llp
Sidense Corp.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1922267