H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/48 (2006.01) H01L 23/485 (2006.01) H01L 23/52 (2006.01) H01L 23/538 (2006.01) H01L 23/66 (2006.01) H01L 25/16 (2006.01) H01L 27/06 (2006.01) H01L 27/08 (2006.01) H05K 1/16 (2006.01) H05K 3/46 (2006.01)
Patent
CA 2362159
In an IC packaging scheme, a multilayer substrate (114) is composed of electrically conductive layers of interconnects (120, 122, 124), separated by insulative layers of epoxy resin or ceramic and connected by vias. Passive elements (102, 104, 106) are integrated within the substrate (114) at the definition stage during layout of the interconnects (120, 122, 124). The passives (102, 104, 106) can be used to enhance the electrical performance of the active circuit die to a maximum extent allowed by the material technology used for the substrate. Material selection for the package is made to allow for the best passive integration for a given circuit design. Typical applications include power supply bypass capacitors, radio frequency tuning, and impedance matching. The incorporation of passives in the packaging substrate creates a new class of electrically tailorable packaging that can derive improved performance for any given die design over existing approaches.
Dans un dispositif de mise sous boîtier de CI, un substrat multicouche (114) est composé de couches électroconductrices d'interconnexions (120, 122, 124), séparées par des couches isolantes de résine époxy ou de céramique et connectées par des traversées. Des éléments passifs (102, 104, 106) sont intégrés dans le substrat (114), au niveau de l'étape de définition, lors de l'installation des interconnexions (120, 122, 124). Les éléments passifs (102, 104, 106) peuvent être utilisés pour améliorer l'efficacité de la puce de circuit actif jusqu'au maximum autorisé par la technologie des matériaux utilisée pour le substrat. La sélection du matériau pour le boîtier s'effectue, de sorte que la meilleure intégration passive soit assurée pour un modèle de circuit donné. Le procédé et appareil de l'invention sont généralement utilisés pour des condensateur de dérivation d'alimentation, pour le réglage de la radiofréquence d'accord et pour l'adaptation d'impédance. L'intégration d'éléments passifs dans le substrat d'encapsulation permet la création d'une nouvelle classe de boîtier pouvant être adapté au plan électrique, permettant une efficacité accrue pour tout type de puce, par les méthodes existantes.
Baumann Dan C.
Zavrel Robert J. Jr.
Atmel Corporation
Smart & Biggar
LandOfFree
Apparatus and method for an integrated circuit having high q... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Apparatus and method for an integrated circuit having high q..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Apparatus and method for an integrated circuit having high q... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-2053650