G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01) G11C 5/02 (2006.01) G11C 7/00 (2006.01)
Patent
CA 2469910
In a data storage apparatus comprising means for storing and retrieving data in respective write and read operations, and first and second set of addressing electrodes are provided, the latter set having electrodes that preferably are oriented orthogonally to the electrodes of the first set, and the electrodes (b, c) of the second set are provided as parallel twin electrodes located in parallel recesses or trenches (3) in the electrodes of the first set. The trenches compris a soft ferroelectric or electret memory material with piezoelectric properties such that memory cells (1) with two subcells (.alpha.1, .alpha.2) are formed in the trench (3) respectively between the electrodes (a) of the first set and the parallel twin electrodes (b, c) on either side of the latter. In a write operation data are encoded in the memory cells (1) by means of an applied voltage potential over the subcells (.alpha.1, .alpha.2). In a non-destructive readout operation of data encoded and stored in the memory cells (1) in this manner, the piezoelectric properties of the memory material (2) is employed for eliciting response signals from the subcells (.alpha.1, .alpha.2) of a memory cell (1) when the former are subjected to mechanical stresses in the lateral direction, such that the logical value stored in the memory cell (1) can be determined.
Dans la présente invention, un appareil de stockage de données comprend des moyens permettant de stocker et de récupérer des données à l'aide d'opérations respectives d'écriture et de lecture, des premier et deuxième ensembles d'électrodes d'adressage, le deuxième ensemble comportant des électrodes qui sont de préférence orientées orthogonalement par rapport aux électrodes du premier ensemble, les électrodes (b, c) du deuxième ensemble se présentant sous forme d'électrodes jumelles parallèles situées dans des évidements ou des tranchées (3) parallèles formés dans les électrodes du premier ensemble. Les tranchées sont constituées d'un matériau souple à mémoire, ferroélectrique ou à électret qui possède des propriétés piézo-électriques, de sorte que des cellules mémoire (1) à deux sous-cellules¿ ?(.alpha.¿1?, .alpha.¿2?) sont formées dans la tranchée (3), respectivement entre les électrodes (a) du premier ensemble et les électrodes jumelles parallèles (b, c) situées sur les côtés de ce dernier. Lors d'une opération d'écriture, des données sont codées dans les cellules mémoire (1) au moyen d'un potentiel de tension appliqué sur les sous-cellules (.alpha.¿1,?.alpha.¿2?). Lors d'une opération de lecture non destructive de données codées et stockées, de cette manière, dans les cellules mémoire (1), les propriétés piézo-électriques du matériau à mémoire (2) sont utilisées pour induire les sous-cellules (.alpha.¿1?,.alpha.¿2?) d'une cellule mémoire (1) à générer des signaux de réponse lorsque ces dernières sont soumises à des contraintes mécaniques dans le sens latéral, de sorte que la valeur logique stockée dans la cellule mémoire (1) peut être déterminée.
Gudesen Hans Gude
Nordal Per-Erik
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Thin Film Electronics Asa
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