Apparatus and method for producing epitaxial layers

Details Apparatus and method for producing epitaxial layers Apparatus and method for producing epitaxial layers

C - Chemistry, Metallurgy

23

C

C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/507 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01)

Patent

CA 2703499

An apparatus and process for plasma enhanced chemical vapor deposition with an inductively coupled plasma with ion densities above 10 cm-3 and energies below 20 eV at the substrate enables epitaxial deposition of group IV and compound semi- conductor layers at high rates and low substrate temperatures. The epitaxial reactor allows for in-situ plasma cleaning by chlorine and fluorine containing gaseous species.

L'invention porte sur un appareil et sur un procédé pour dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma avec un plasma couplé de façon inductive avec des densités d'ion supérieures à 1010 cm-3 et des énergies inférieures à 20 eV sur le substrat, qui permettent un dépôt épitaxial de couches de semi-conducteur du groupe IV et composite à des vitesses élevées et de faibles températures de substrat. Le réacteur épitaxial permet un nettoyage au plasma in-situ par des espèces gazeuses contenant du chlore et du fluor.

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