Apparatus for deposition of thin-film, solid state batteries

C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C

Patent

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Details

C23C 16/00 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) C23C 16/54 (2006.01) H01M 4/00 (2006.01) H01M 6/00 (2006.01) H01M 6/18 (2006.01) H01M 6/40 (2006.01) H01M 10/34 (2006.01)

Patent

CA 2190856

A multi-chambered deposition apparatus for depositing solid-state, thin-film battery materials onto substrate material. The apparatus minimally includes at least three distinct evacuable deposition chambers (8, 9,10), which are physically interconnected in series. The first deposition chamber (8) is adapted to deposit a layer of battery electrode material having a first polarity onto the substrate. The second deposition chamber (9) is adapted to deposit a layer of solid-state electrolyte material onto the layer of battery electrode material deposited in the first chamber (8). The third deposition chamber (10) is adapted to deposit a layer of battery electrode material having an opposite polarity from that deposited in the first chamber (8) onto the solid-state electrolyte. The deposition chambers (8, 9, 10) are interconnected by gas gates (12) such that the substrate material is allowed to proceed from one deposition chamber to the next, while maintaining gaseous segragation between the chambers.

Dispositif de dépôt comportant des chambres multiples et servant à effectuer un dépôt, sur un matériau de substrat, de matériaux de batterie à semi-conducteurs et à couches minces. Ce dispositif comprend au moins trois chambres de dépôt (8, 9, 10) distinctes, évacuables et reliées en série. La première chambre de dépôt (8) est conçue pour déposer sur le substrat une couche de matériau d'électrode possédant une première polarité. La deuxième chambre de dépôt (9) est conçue pour déposer une couche d'électrolyte à semi-conducteurs sur la couche de matériau d'électrode déposée dans la première chambre (8). La troisième chambre de dépôt (10) est conçue pour déposer une couche de matériau d'électrode possédant une polarité opposée à celle de la couche déposée dans la première chambre (8), sur l'électrolyte à semi-conducteurs. Les chambres de dépôt (8, 9, 10) sont reliées par des barrières de gaz (12), de façon à permettre au matériau de substrat de passer d'une chambre à l'autre, tout en conservant la ségrégation gazeuse entre les chambres.

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