C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/455 (2006.01) C30B 25/14 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
Patent
CA 2462102
A semiconductor fabrication reactor (12) comprises a rotatable susceptor (14) mounted to the top of a reactor chamber. One or more wafers (16) are mounted to a surface of the susceptor and the rotation of the susceptor causes the wafers to rotate within the chamber. A heater (18) heats the susceptor and a chamber gas inlet allows semiconductor growth gases into the reactor chamber to deposit semiconductor material on said wafers. A chamber gas outlet (40) is included to allow growth gases to exit the chamber. The inlet is at or below the level of said wafers and the outlet is at or above the level of the wafers.
Un réacteur (12) de fabrication de semiconducteur comprend un suscepteur (14) rotatif monté sur la partie supérieure d'une chambre de réaction. Une ou plusieurs tranches (16) sont montées sur une surface du suscepteur et la rotation de ce suscepteur entraîne la rotation des tranches dans la chambre. Un chauffage (18) chauffe le suscepteur et une entrée de gaz de la chambre permet à des gaz de croissance de semiconducteur d'accéder dans la chambre du réacteur de façon à déposer un matériau semiconducteur sur ces tranches. Une sortie (40) de gaz de la chambre permet aux gaz de croissance de sortir de la chambre. L'entrée est située au niveau ou au dessous du niveau des tranches et la sortie est située au niveau ou au dessus du niveau des tranches.
Batres Max
Coulter Mike
Denbaars Steven
Nakamura Shuji
Cree Inc.
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
LandOfFree
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