G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 26/08 (2006.01) B81B 3/00 (2006.01) H04N 9/30 (2006.01) H04N 9/31 (2006.01)
Patent
CA 2205168
An array (100) of M x N thin film actuated mirrors (101) includes an active matrix (120) having a substrate with an array of M x N connecting terminals (124) and an array of M x N transistors, and an array of M x N actuating structures (111), wherein each of the actuating structures (111) being a bimorph structure, includes a second thin film electrode (165), a lower electrodisplacive member (185), an intermediate thin film electrode (135), an upper electrodisplacive member (175) and a first thin film electrode (155). Furthermore, there is disclosed a method for the manufacture thereof, the method comprising the steps of: providing an active matrix; forming a thin film sacrificial layer on top of the active matrix; removing selectively the thin film sacrificial layer; forming a second thin film electrode layer thereon; removing selectively the second thin film electrode layer; depositing a lower electrodisplacive layer; forming an intermediate electrode layer; depositing an upper electrodisplacive layer; forming a first thin film electrode layer; thereby forming a multiple layered structure; patterning the multiple layered structure into an array of M x N semifinished actuating structures; and removing the thin film sacrificial layer.
Un réseau (100) de M x N miroirs actionnés à film mince (101) comprend une matrice active (120) ayant un substrat présentant un réseau de M x N bornes de connexion (124) et un réseau de M x N transistors, ainsi qu'un réseau de M x N structures d'activation (111), chacune des structures d'activation (111) étant une structure bimorphe, le réseau comprenant une seconde électrode à film mince (165), un élément inférieur à électrodéplacement (185), une électrode intermédiaire à film mince (135), un élément supérieur à électrodéplacement (175) et une première électrode à film mince (155). En outre, l'invention décrit un procédé de fabrication de ce réseau, le procédé comprenant les étapes suivantes: préparation d'une matrice active; formation d'une couche à film mince sacrificielle sur la matrice active; élimination sélective de la couche sacrificielle à film mince; formation d'une seconde couche électrode à film mince; élimination sélective de la seconde couche électrode à film mince; dépôt d'une couche inférieure à électrodéplacement; formation d'une couche électrode intermédiaire; dépôt d'une couche supérieure à électrodéplacement; formation d'une première couche électrode à film mince, formant ainsi une structure à couches multiples; transformation de la structure à couches multiples en un réseau de M x N structures semi-finies d'actionnement; et élimination de la couche sacrificielle à film mince.
Cassan Maclean
Daewoo Electronics Co. Ltd.
LandOfFree
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