Avalanche breakdown memory devices and method of using the same

Details Avalanche breakdown memory devices and method of using the same Avalanche breakdown memory devices and method of using the same

H - Electricity

01

L

H01L 31/0304 (2006.01) G11C 13/04 (2006.01) H01L 31/10 (2006.01) H01L 31/105 (2006.01)

Patent

CA 2451022

A reverse bias voltage in combination with selective illumination can selectively write data into optical memory (300). The writing process can be completed quickly since parallel writing of data may be performed. The writing process generates an avalanche current (208) that is used to change an element. The change can be destruction of the element or may be alteration of property such as conductance or work function (206).

Une tension de polarisation inverse combinée à un éclairage sélectif permet une écriture sélective des données sur une mémoire optique. Le processus d'écriture peut être achevé très rapidement du fait que l'écriture parallèle de données peut être mise en oeuvre. Le processus d'écriture produit un courant d'avalanche qui est utilisé pour modifier un élément. Cette modification peut être la destruction de l'élément ou l'altération d'une propriété telle que la conductance ou de la fonction de travail.

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