H - Electricity – 04 – N
Patent
H - Electricity
04
N
H04N 3/15 (2006.01) H01L 21/263 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01) H04N 5/335 (2006.01)
Patent
CA 2201052
A product and process for making backside thinned semiconductor image sensing devices employing neutral ion beams to reduce substrate volumes so that the image sensor can be illuminated from the backside, or side opposite etched circuitry. A neutral ion beam is contained in a vacuum chamber that has a fixture for holding a semiconductor image sensor, a control mechanism for controlling the neutral ion beam via the raster mechanism, and a map of the semiconductor image sensor. The image sensor is placed on the fixture within the vacuum chamber and the neutral ion beam removes a predetermined amount of substrate from the backside of the sensor. The result is an image sensor than can be backside thinned at the molecular level
Produit et procédé pour produire des capteurs d'images à semiconducteur à dos aminci en utilisant des faisceaux ioniques neutres pour réduire le volume des substrats de sorte que le capteur puisse être illuminé par le dos, c.-à-d. du côté opposé au côté imprimé du circuit. Un faisceau ionique neutre est contenu dans une chambre à vide comprenant un dispositif pour tenir fixe un capteur d'image à semiconducteur, un mécanisme pour commander le faisceau ionique neutre au moyen du mécanisme de trame, et une carte du capteur. Le capteur est placé sur le dispositif de fixation à l'intérieur de la chambre à vide et le faisceau ionique neutre enlève une quantité prédéterminée de substrat au dos du capteur. On produit ainsi un capteur qui peut être aminci au dos au niveau moléculaire.
Howe Bryan L.
Thompson Dennis A.
Eastman Kodak Company
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1450278