H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/41 (2006.01) H01L 23/482 (2006.01) H01L 23/66 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) H01L 29/417 (2006.01) H01L 29/73 (2006.01)
Patent
CA 2204382
The present invention provides an apparatus and method whereby the current flow through an RF power transistor may be monitored without the use of any external parts. More particularly, an RF power transistor (40) includes a silicon die, a pair of interdigitated electrodes formed on the silicon die, each having a multiplicity of parallel electrode fingers and at least one bond pad. Regions of a first type of diffusion are formed beneath electrode fingers of one electrode of the pair of interdigitated electrodes, and regions of a second type of diffusion are formed beneath electrode fingers of another electrode of the pair of interdigitated electrodes. One electrode has multiple electrode fingers (E1, ..., En) and multiple resistors formed on the silicon die, at least one resistor connected in series with each one of the electrode fingers. A further electrode is provided having at least one electrode finger (En+1, En+2) and connected to a further bond pad (R), and at least one resistor is formed on the silicon die and connected in series with the further electrode. A method is also provided for monitoring and controlling current flow in an integrated RF transistor within an RF transistor cicuit. The RF transistor circuit includes a bias control and feedback circuit connected to the further bond pad (R). Current flowing through at least one of the emitter ballast resistors is routed to the circuit for monitoring current flow. Using the bias control and feedback circuit, the current flowing through the integrated RF transistor is influenced.
La présente invention concerne un appareil et un procédé permettant de réguler le courant circulant dans un transistor de puissance à hautes fréquences, sans utiliser des composants externes. Plus particulièrement, un transistor de puissance à haute fréquence (40) comprend une pastille de silicium, une paire d'électrodes interdigitées formées sur la pastille de silicium, ayant chacune une pluralité de doigts d'électrode parallèles et au moins un plot de connexsion. Des régions d'un premier type de diffusion sont formées sous les doigts d'électrode d'une électrode de la paire d'électrodes interdigitées et des régions d'un second type de diffusion sont formées sous les doigts d'électrode d'une autre électrode de la paire d'électrodes interdigitées. Une électrode a des doigts multiples d'électrode (E1, ..., En) et des résistances multiples formées sur la pastille de silicium, au moins une résistance étant connectée en série avec chacun des doigts d'électrode. Une autre électrode est prévue, ayant au moins un doigt d'électrode (En+1, En+2) et cette électrode est connectée à un autre plot de connexion (R). Une autre résistance au moins est formée sur la pastille de silicium et elle est connectée en série avec l'autre électrode. On prévoit également un procédé pour surveiller et réguler le courant circulant dans un transistor intégré à hautes fréquences dans un circuit transistorisé à haute fréquence. Le transistor à haute fréquence comporte une commande de polarisation et un circuit de rétroaction connecté au plot de connexion (R). Le courant circulant par au moins une des résistances ballast d'émetteur est dirigé sur le circuit pour réguler l'intensité du courant. En utilisant la commande de polarisation et le circuit de rétroaction, on influe sur le courant circulant par le transistor intégré à haute fréquence.
Johansson Ted
Leighton Larry
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (publ)
LandOfFree
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