G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01)
Patent
CA 2562350
In a method for enhancing the data storage capability of ferroelectric or electret memory cell which has been applied to storage of data and attained an imprint condition, suitable voltage pulses are used for evoking a temporary relaxation of the imprint condition into a volatile polarization state that can be discriminated from the imprinted polarization state in a non- destructive readout operation. Sequences of one or more voltage pulses are used to evoke readout signals respectively indicative of a non-volatile and a volatile polarization state of the memory cell, but without altering said polarization states. Imprinted memory cells can be overwritten to effect a temporary and volatile storage of data in a memory device in a ferroelectric or electret memory device by assigning a first logical value to imprinted memory cells and a second logical value by transferring selected to memory cells transferred into a relaxed volatile state, whereby the stored logical values can be discriminated by the detecting the difference in dynamic response of respectively imprinted and relaxed memory cells.
L'invention concerne un procédé destiné à améliorer la capacité de stockage de données d'une cellule de mémoire ferroélectrique ou électret qui a été appliquée à un stockage de données et qui a atteint une condition d'empreinte, des impulsions de tension adaptées étant utilisées afin d'évoquer une relaxation temporaire de la condition d'empreinte dans un état de polarisation volatile pouvant établir une différence par rapport à l'état de polarisation d'empreinte dans une opération d'extraction non destructive. Les séquences d'une ou plusieurs impulsions de tension sont utilisées afin d'évoquer des signaux d'extraction indicateurs respectivement d'un état de polarisation volatile et non volatile d'une cellule de mémoire, mais sans modifier ces états de polarisation. Les cellules de mémoire imprimées peuvent être surimprimées afin de produire un stockage temporaire et volatile de données dans un dispositif de mémoire d'un dispositif de mémoire ferroélectrique ou électret par attribution d'une première valeur logique aux cellules de mémoire imprimées et une seconde valeur logique par transfert des cellules de mémoire sélectionnées transférées dans un état volatile élargi, les valeurs logiques stockées pouvant faire la différence par détection de la différence dans une réponse dynamique de cellules de mémoire respectivement imprimées et élargies.
Engquist Isak
Gudesen Hans Gude
Gustafsson Goeran
Leistad Geirr I.
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1479902