Bipolar mosfet device

Details Bipolar mosfet device Bipolar mosfet device

H - Electricity

01

L

H01L 29/74 (2006.01) H01L 29/745 (2006.01) H01L 29/749 (2006.01)

Patent

CA 2381530

There is disclosed a semiconductor device comprising: at least one cell comprising a base region (32) of a first conductivity type having disposed therein at least one emitter region (36a, 36b) of a second conductivity type; a first well region (22) of a second conductivity type; a second well region (2a) of a first conductivity type; a drift region (24) of a second conductivity type; a collector region (14) of a first conductivity type; a collector contact (16) in which each cell is disposed within the first well region (22) and the first well region (22) is disposed within the second well region (20); the device further comprising: a first gate (61) disposed over a base region (32) so that a MOSFET channel can be formed between an emitter region (36a, 36b) and the first well region (22); the device further comprising: a second gate disposed over the second well region (20) so that a MOSFET channel can be formed between the first well region (22) and the drift region (24).

L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant au moins une cellule constituée d'une zone de base (32) d'un premier type de conductivité dans laquelle est disposée au moins une zone d'émission (36a, 36b) d'un second type de conductivité; d'une première zone de puits (22) d'un second type de conductivité; d'une seconde zone de puits (2a) d'un premier type de conductivité; d'une zone de migration (24) d'un second type de conductivité; d'une zone de collecteur (14) d'un premier type de conductivité; d'un contact de collecteur (16) dans lequel chaque cellule est disposée dans la première zone de puits (22) et la première zone de puits (22) est disposée dans la seconde zone de puits (20). Le transistor comprend également: une première grille (61) disposée sur la zone de base (32) de sorte qu'un canal MOS puisse être formé entre une zone d'émission (36a, 36b) et la première zone de puits (22); une seconde grilles disposée sur la seconde zone de puits (20) de sorte qu'un canal MOS puisse être formé entre la première zone de puits (22) et la zone de migration (24).

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