H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/732 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/331 (2006.01) H01L 21/74 (2006.01) H01L 23/66 (2006.01) H01L 29/08 (2006.01) H01L 29/73 (2006.01)
Patent
CA 2300127
The present invention relates to a bipolar power transistor intended for radio frequency applications, especially for use in an amplifier stage in a radio base station, and to a method for manufacturing the bipolar power transistor. The power transistor comprises a substrate (13), an epitaxial collector layer (15) on the substrate (13), a base (19) and an emitter (21) formed in the collector layer (15). The degree of doping Nc(x) of the collector layer varies from its upper surface (24) and downwards to at least half the depth of the collector layer, essentially according to a polynom of at least the second degree, a0 + a1, + a2x2 + ..., where a0 is the degree of doping at the upper surface (24); x is the vertical distance from the same surface (24) and a1, a2, ... are constants. The transistor can further comprise an at least approximately 2 µm thick insulation oxide (17) between the epitaxial collector layer (15) and higher situated metallic connections layers (31, 33).
Cette invention concerne un transistor de puissance bipolaire destiné à des applications de radiofréquence, qui est plus particulièrement destiné à être utilisé dans un étage d'amplification d'une station radio fixe ainsi qu'un procédé permettant de fabriquer le transistor de puissance bipolaire. Le transistor de puissance comprend un substrat (13), une couche collectrice épitaxiale (15) située sur le substrat (13), une base (19) et un émetteur (21) formé dans la couche collectrice (15). Le degré de dopage N¿c?(x) de la couche collectrice varie depuis sa surface supérieure (24) et vers l'intérieur jusqu'à au moins la moitié de la profondeur de la couche collectrice, principalement en fonction d'un polynôme qui est au moins du second degré, a¿0? + a¿1? x + a¿2? x?2¿ + ..., dans lequel a¿0? représente le degré de dopage au niveau de la surface supérieure (24), x représente la distance verticale depuis cette même surface (24) et a¿1?, a¿2?, ... représentent des constantes. Le transistor peut également comprendre au moins un oxyde (17) d'isolement d'une épaisseur voisine de 2 µm situé entre la couche collectrice épitaxiale (15) et des couches (31, 33) de connexion métalliques situées plus haut.
Arnborg Bengt Torkel
Johansson Ted
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1672002