H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
356/127
H01L 27/04 (2006.01) G05F 3/26 (2006.01) H01L 27/07 (2006.01) H03F 3/345 (2006.01)
Patent
CA 1245372
PRECIS DE LA DIVULGATION: L'invention concerne les circuits intégrés réalisables à l'aide d'une technologie MOS. Elle a plus spé- cifiquement pour objet un dispositif comportant un transis- tor MOS réalisé dans un matériau semiconducteur de type p. Elle consiste à polariser dans le sens direct une jonction formée par une diffusion de type n+ et le matériau semiconducteur et à polariser une électrode de grille de manière à empêcher tout phénomène d'inversion dans la zone de canal. Le transistor formé d'un émetteur, relié à la diffusion de type n+, d'un collecteur, relié à une autre diffusion du type n+, et d'une base, reliée au matériau semiconducteur, a un comportement de transistor bipolaire. Le matériau semiconducteur peut être constitué par un caisson réalisé dans un substrat de type opposé auquel cas le dispositif comporte une autre électrode qui est soumise à une tension telle que la jonction caisson-substrat soit polarisée en inverse. L'invention s'applique aux circuits intégrés en technologie MOS.
426527
Centre Electronique Horloger S.a.
Robic
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