Blue-green lase diode

Details Blue-green lase diode Blue-green lase diode

H - Electricity

01

L

H01L 29/22 (2006.01) H01L 21/443 (2006.01)

Patent

CA 2234517

A II-VI compound semiconductor laser diode (10) is formed from overlaying layers of material including an n-type single crystal semiconductor substrate (12), adjacent n-type and p-type guiding lasers (14) and (16) or II-VI semiconductor forming a pn junction, a quantum well active layer (18) of II-VI semiconductor between the guiding layers (14) and (16), first electrode (32) opposite the substrate (12) from the n-type guiding layer (14), and a second electrode (30) opposite the p-type guiding layer (16) from the quantum well layer (18). Electrode layer (30) is characterized by a Fermi energy. A p-type ohmic contact layer (26) is doped, with shallow acceptors having a shallow acceptor energy, to a net acceptor concentration or at least 1 x 10 17 cm-3, and includes sufficient deep energy states between the shallow acceptor energy and the electrode layer Fermi energy to enable cascade tunneling by charge carriers.

L'invention est une diode laser à semi-conducteur composé II-VI (10) construite sous la forme de couches superposées de matériaux comportant un substrat de semi-conducteur monocristallin de type n (12), de lasers de guidage adjacents de types n et p (14) et (16) ou d'un semi-conducteur II-VI formant une jonction pn, une couche active de puits quantiques (18) constituée d'un semi-conducteur II-VI monté entre les couches de guidage (14) et (16), une première électrode (32) montée en opposition avec le substrat (12) par rapport à la couche de guidage de type n (14), et une seconde électrode (30) montée en opposition avec la couche de guidage de type p (16) par rapport à la couche de puits quantiques (18). La couche de l'électrode (30) est caractérisée par une énergie de Fermi. Une couche de contact ohmique de type p (26) est dopée avec des accepteurs peu profonds ayant un niveau d'énergie peu profond à une concentration d'accepteurs nette d'au moins 1 x 1017 cm-3 et contient des états d'énergie suffisamment profonds entre l'état d'énergie peu profond des accepteurs et l'énergie de Fermi de la couche d'électrodes pour permettre un effet tunnel en cascade par les porteurs de charge.

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