H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/107 (2006.01)
Patent
CA 2643938
An avalanche photodiode includes a high quality electrooptically active substrate, a handle substrate bonded to the active substrate, and an avalanche photodiode active area formed in the high quality electrooptically active substrate including a high field region for generating avalanche current gain. By using a handle wafer bonded to the active substrate, the avalanche photodiode of the subject invention has a greater strength and thickness without the reduction of desirable electrical characteristics.
L'invention concerne un photodiode à avalanche comprenant un substrat électro-optiquement actif de qualité élevée, un substrat de manipulation lié au substrat actif et une zone active de photodiode à avalanche formée dans le substrat électro-optiquement actif de qualité élevée comprenant une région à champ élevé permettant de générer un gain de courant d'avalanche. Par l'utilisation d'une tranche de manipulation liée au substrat actif, la photodiode à avalanche de la présente invention a une résistance et une épaisseur supérieure sans réduction des caractéristiques électriques désirables.
Dautet Henri
Seymour Richard
Excelitas Canada Inc.
Macrae & Co.
Perkinelmer Canada Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1983947