H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/60 (2006.01) G01T 1/24 (2006.01) H01L 23/485 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01)
Patent
CA 2273356
A semi-conductor imaging device, for use, for example, in medical diagnosis and non-destructive testing, includes a radiation detector semiconductor substrate (32) and a readout substrate (30) connected to the detector by means of low temperature solder bumps (34). A low temperature solder is preferably a lead-tin based solder having a melting point below that of eutectic lead-tin solder. Preferred embodiments of such low temperature solder include bismuth based alloys such as, for example, the eutectic (52 wt.% Bi, 32 wt.% Pb, 16 wt.% Sn) alloy which has a melting point under 100 ~C.
L'invention concerne un imageur à semiconducteurs, prévu pour être utilisé, par exemple, dans les diagnostics médicaux et les essais non destructifs. Ce dispositif comprend un substrat (32) de semiconducteurs de détecteur à rayonnement et un substrat (30) de lecture connecté au détecteur au moyen de bosses de soudure (34) à faible température. Une soudure à faible température est, de préférence, une soudure à base d'étain et de plomb dont le point de fusion est inférieur à celui d'une soudure plomb-étain eutectique. Les modes de réalisation préférés de ce type de soudure à basse température comprennent des alliages à base de bismuth, comme par exemple, l'alliage eutectique (52 % en poids de Bi, 32 % en poids de Pb, 16 % en poids de Sn) dont le point de fusion est inférieur à 100 ·C.
Salonen Jaakko
Spartiotis Konstantinos Evangelos
Ridout & Maybee Llp
Simage Oy
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1806642