H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/227 (2006.01) H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) H01S 5/32 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01)
Patent
CA 2247885
An epitaxially grown semiconductor heterostructure has an inner region (5) which is substantially laterally confined by confinement regions (9) and has enhanced transverse confinement by enhanced transverse confinement layers (3, 7). The latter layers are not exposed outside the growth chamber during processing, by stopping the etching for producing the lateral confinement, above the lower enhanced transverse confinement layer (3) and growing such an upper layer (7) after making the lateral confinement regions (9). The structure is intended to be used in particular having the inner region act as an active laser region, for instance in InP-based 1.3 µm wavelength lasers. Then the simultaneous lateral confinement, enhanced transverse confinement and exposure protection enables simultaneously a low threshold current, a small temperature sensitivity and reliable, long life operation. The enhanced transverse confinement layers (3, 7) could comprise aluminium protected from oxidation during processing. Such a laser will then be protected from a declined reliability.
Hétérostructure de semi-conducteurs à croissance épitaxiale comportant une région interne (5) essentiellement confinée dans le sens latéral par des régions de confinement (9) et comportant un confinement transversal renforcé par des couches de confinement transversal renforcées (3, 7). Ces dernières couches ne sont pas exposées hors de la chambre de croissance au cours du traitement, en arrêtant la gravure de réalisation du confinement latéral au-dessus de la couche inférieure (3) de confinement renforcé dans le sens transversal et en croissant une telle couche supérieure (7) après avoir réalisé les régions de confinement latéral (9). La structure est destinée à être utilisée en particulier avec une région interne agissant comme région laser active, par exemple pour des lasers à base de phosphure d'indium (InP) ou fonctionnant sur une longueur d'ondes de 1,3 µm. Les phénomènes simultanés de confinement latéral, de confinement transversal renforcé et de protection contre l'exposition apportent simultanément les avantages d'un faible courant seuil, d'une faible sensibilité à la température et d'un fonctionnement fiable et durable. Les couches de confinement transversal renforcées (3, 7) peuvent comprendre de l'aluminium protégé contre l'oxydation au cours du traitement. Un tel laser est protégé en conséquence contre la perte de fiabilité.
Ohlander Ulf
Rask Michael
Stoltz Bjorn
Ericsson Canada Patent Group
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1416506