H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/227 (2006.01) H01S 3/085 (1990.01)
Patent
CA 2084820
This invention pertains to buried heterostructure lasers which have been fabricated using a single step MOCVD growth of an MQW laser structure over a pattern etched GaAs substrate. The wet chemical etching of grooves having a dovetailed cross-section and being parallel to the [011] direction in GaAs substrates produced reentrant mesas which resulted in isolated laser active regions buried by the AlGaAs cladding layer. The 250 µm long uncoated lasers emit at about 1 µm. Lasers with coated facets have threshold currents of 20 mA and emit >100 mW per facet under room temperature operation. The external differential quantum efficiency for currents of from 30 mA to about 50 mA is found to be nearly independent of temperature in the range of 10°C to 90°C suggesting a low temperature dependence of leakage current.
L'invention est constituée pour des lasers à hétérostructure enfouie fabriqués par dépôt chimique organométallique en phase vapeur d'une structure laser à puits quantiques multiples sur un substrat de GaAs à configuration gravée. La gravure humide de sillons à section en queue d'aronde parallèles à la direction [011 dans un substrat de GaAs produit des mesas réentrants, ce qui donne des régions actives isolées enfouies sous la couche de métallisation d'AlGaAs. Les lasers sans couche qui ont une longueur de 250 m produisent un rayonnement d'une longueur d'onde de 1 m environ. Les lasers à facettes à revêtement ont des courants de seuil de 20 mA et ont une puissance supérieure à 100 mW par facette à la température ambiante. Le rendement quantique différentiel externe pour des courants allant de 30 à 50 mA environ est pratiquement indépendant de la température dans la gamme allant de 10 à 90 °C, ce qui porte à croire que le courant de fuite varie peu avec la température.
Berger Paul Raymond
Dutta Niloy Kumar
Hobson William Scott
Lopata John
American Telephone And Telegraph Company
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1460511