H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/223 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01)
Patent
CA 2376885
A buried ridge semiconductor diode laser, preferably based on the GaAs and AlGaAs family of materials. The thin upper cladding layer is overlaid with an aluminum-free etch stop layer and an aluminum-free confinement layer, preferably of GaInP, of opposite conductivity type opposite that of the upper cladding layer. A trench is formed in the confinement layer extending down to the etch stop layer. Additional AlGaAs is regrown in the aperture to form a buried ridge. During the regrowth, no aluminum is exposed either at the bottom or on the sides of the aperture. The confinement layer is preferably lattice matched to the AlGaAs. The thin etch stop layer preferably has the same conductivity type and the same bandgas as the AlGaAs sandwiching it. For lasers producing shorter wavelength radiation, the aluminum content of the AlGaAs cladding layers is increased and some aluminum is added to the confinement layer but less than that of the cladding layers.
L'invention concerne un laser à diode à semi-conducteur et à moulures enfouies, basé de préférence sur les familles de matériaux GaAs et AlGaAs. La fine couche de métallisation supérieure est revêtue par une couche d'arrêt d'attaque chimique exempte d'aluminium et par une couche de confinement également exempte d'aluminium, de préférence en GaInP, du type de conductivité opposé à celui de la couche de métallisation. Une tranchée, formée dans la couche de confinement, s'étend jusqu'à la couche d'arrêt d'attaque chimique. On refait croître du AlGaAs supplémentaire dans l'ouverture afin de former une moulure enfouie. Au cours de cette nouvelle croissance, aucun atome d'aluminium n'est exposé à la base ou sur les côtés de l'ouverture. Le réseau de la couche de confinement correspond de préférence à celui de AlGaAs. La fine couche d'arrêt possède de préférence le même type de conductivité et la même structure de bande que le AlGaAs qui l'entoure. Pour des lasers produisant un rayonnement à faible longueur d'onde, on augmente la teneur en aluminium des couches de métallisation en AlGaAs et on ajoute de l'aluminium à la couche de confinement, en quantité toutefois inférieure à celle des couches de métallisation.
Corning Incorporated
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
Buried ridge semiconductor laser with aluminum-free... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Buried ridge semiconductor laser with aluminum-free..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Buried ridge semiconductor laser with aluminum-free... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-2058477