Cable manufacturing process

Details Cable manufacturing process Cable manufacturing process

H - Electricity

01

B

H01B 13/14 (2006.01)

Patent

CA 2589141

The present invention concerns a process for manufacturing a cable, said cable comprising: a conductor; an inner semiconductive layer surrounding said conductor and having a thickness lower than or equal to 0.4 mm;, and an insulating layer surrounding said inner semiconductive layer. The process comprises the step of co-extruding the inner semiconductive layer and the insulating layer. Said step comprises: a) providing a first annular flow of inner semiconductive material and a second annular flow of insulating material; b) contacting the outer surface of said first annular flow and the inner surface of said second annular flow at an axial distance from the contacting point where the inner surface of said first annular flow contacts the conductor; c) selecting in combination said predetermined feeding speed and said contacting point (D), as a function of the dynamic viscosity (.eta.) of the inner semiconductive material and of the insulating material, so that a ratio between the shear stress of the inner semiconductive layer at the radially inner wall of the extrusion die and the shear stress of the insulating layer at the radially outer wall of the extrusion die, in proximity of said contacting point, is comprised from about 0.5 to 4; d) compression extruding the insulating layer and the inner semiconductive layer onto the conductor.

Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un câble, ledit câble se composant d'un conducteur, d'une couche semiconductrice interne entourant ledit conducteur et dont l'épaisseur est inférieure ou égale à 0.4 mm et d'une couche isolante entourant ladite couche semiconductrice interne. Le procédé consiste à co-extruder la couche semiconductrice interne et la couche isolante. Ledit procédé comporte les étapes suivantes: a) utiliser un premier flux annulaire de matériau semiconducteur interne et un deuxième flux annulaire de matériau isolant ; b) mettre en contact la surface extérieure dudit premier flux annulaire et la surface interne dudit deuxième flux annulaire à une distance axiale du point de mise en contact où la surface interne dudit premier flux annulaire est mis en contact avec le conducteur, c) sélectionner conjointement ladite vitesse d'alimentation prédéterminée et ledit point de mise en contact (D), comme une fonction de la viscosité dynamique (.eta.) du matériau semiconducteur interne et du matériau isolant, de sorte qu'un ratio entre la contrainte de cisaillement de la couche semiconductrice interne au niveau de la paroi interne radiale de la filière d'extrusion et la contrainte de cisaillement de la couche isolante au niveau de la paroi radiale externe de la filière d'extrusion, à proximité dudit point de mise en contact, soit environ compris entre 0.5 et 4 ; d) extruder par compression la couche isolante et la couche semiconductrice interne sur le conducteur.

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Profile ID: LFCA-PAI-O-1619058