H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/12 (2006.01) H01L 29/02 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
Patent
CA 2561277
Carbon nanotube-based devices made by electrolytic deposition and applications thereof are provided. In a preferred embodiment, the present invention provides a device comprising at least one array of active carbon nanotube junctions deposited on at least one microelectronic substrate. In another preferred embodiment, the present invention provides a device comprising a substrate, at least one pair of electrodes disposed on the substrate, wherein one or more pairs of electrodes are connected to a power source, and a bundle of carbon nanotubes disposed between the at least one pair of electrodes wherein the bundle of carbon nanotubes consist essentially of semiconductive carbon nanotubes. In another preferred embodiment, a semiconducting device formed by electrodeposition of carbon nanotubes between two electrodes is provided. The invention also provides preferred methods of forming a semiconductive device by applying a bias voltage to a carbon nanotube rope. The plurality of metallic single-wall carbon nanotubes are removed (e.g., by application of bias voltage) in an amount sufficient to form the semiconducting device. The devices of the invention include, but not limited to, chemical or biological sensors, carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs), tunnel junctions, Schottky junctions, and multi-dimensional nanotube arrays.
Cette invention se rapporte à des dispositifs à base de nanotubes de carbone, qui sont fabriqués par dépôt électrolytique, ainsi qu'à des applications de ces dispositifs. Dans un mode de réalisation préféré, cette invention concerne un dispositif comprenant au moins un réseau de jonctions de nanotubes de carbone actif déposées sur au moins un substrat micro-électronique. Dans un autre mode de réalisation préféré, cette invention concerne un dispositif comprenant un substrat, au moins une paire d'électrodes disposées sur ce substrat, dans lequel une ou plusieurs paires d'électrodes sont connectées à une source de courant, et un faisceau de nanotubes de carbone disposés entre la paire ou les paires d'électrodes, ce faisceau de nanotubes de carbone étant constitué essentiellement de nanotubes de carbone semi-conducteur. Dans un troisième mode de réalisation préféré, cette invention concerne un dispositif semi-conducteur formé par électrodéposition de nanotubes de carbone entre deux électrodes. Cette invention concerne en outre des procédés préférés qui servent à former un dispositif semi-conducteur en appliquant une tension de polarisation à une corde de nanotubes de carbone. La pluralité des nanotubes de carbone à une seule paroi métallique sont retirés (par exemple par application de tension de polarisation, en une quantité suffisante pour former le dispositif semi-conducteur faisant l'objet de cette invention). Les dispositifs de cette invention sont notamment des capteurs chimiques ou biologiques, des transistors à effet de champ à nanotubes de carbone (CNFET), des jonctions à effet tunnel, des jonctions Schottky et des réseaux de nanotubes multidimensionnels.
Carey Charles
Czerw Richard
Farrell Brian
Gannon John
Tiano Thomas M.
Foster-Miller Inc.
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1799901