C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/32 (2006.01) C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/448 (2006.01) C23C 16/46 (2006.01)
Patent
CA 2486867
The process of Polymer Assisted Chemical Vapor Deposition (PACVD) and the semiconductor, dielectric, passivating or protecting thin films produced by the process are described. A semiconductor thin film of amorphous silicon carbide is obtained through vapor deposition following desublimation of pyrolysis products of polymeric precursors (19) in inert or active atmosphere (60). PA-CVD allows one or multi-layers compositions, microstructures and thicknesses to be deposited on a wide variety of substrates (6). The deposited thin film from desublimation is an n-type semiconductor with a low donor concentration in the range of 1014- 1017cm-3. Many devices can be fabricated by the PA-CVD method of the invention such as; solar cells; light-emitting diodes; transistors; photothyristors, as well as integrated monolithic devices on a single chip. Using this novel technique, high deposition rates can be obtained from chemically synchronized Si-C bonds redistribution in organo- polysilanes in the temperature range of about 200 - 450 ~C.
L'invention porte sur un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PACVD) et sur des films semi-conducteurs diélectriques, de passivation ou de protection ainsi obtenus. On obtient par là un film de carbure de silicium amorphe suite à la désublimation des produits de pyrolyse des polymères précurseurs (19) en atmosphère (60) inerte ou active. Le PACVD permet de déposer une ou plusieurs couches de diverses compositions, microstructures et épaisseurs sur une grande variété de substrats (6). Le film mince, obtenu par désublimation, est un semi-conducteur à faible concentration en donneurs, de l'ordre de 10?14¿ - 10?17¿cm?-3¿. On peut fabriquer de nombreux articles par le procédé PACVD de l'invention, dont des piles solaires, des DELs, des transistors, des photothyristors et des dispositifs monolithiques intégrés dans une même puce. Cette nouvelle technique permet des vitesses de dépôt élevées de par la redistribution à synchronisation chimique des liaisons Si-C dans les organo-polysilanes, et cela sur une plage de températures d'environ 200 à 450 ·C.
Aktik Cetin
Scarlete Mihai
Bishop's University
Sixtron Advanced Materials Inc.
Smart & Biggar
Universite de Sherbrooke
LandOfFree
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