C - Chemistry – Metallurgy – 01 – G
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
G
C01G 15/00 (2006.01) C01G 3/12 (2006.01) C10G 15/00 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
Patent
CA 2679200
Small-sized CIGS nanopartcles having a narrow particle size distributon and a good bandgap are made in large yield by a simple, scalable process. The process involves reacting CuXa 2, MXb 3 and L2Y in water to form nanoparticles of a chalcopyrite of formula CUw(InxGa1 -X)SySe2-Y, wherein Xa and Xb are the same or different and are halogens, M is Ga or In, L is an alkali metal, Y is S or Se, w is a number from 0.8 to 1.2, x is a number from 0 to 1, and y is a number from 0 to 2. The nanoparticles are useful for producing semiconductor films for photovoltaic devices, e.g. solar cells, light emitting diodes and photodetectors.
Des nanoparticules de CIGS de petite dimension ayant une distribution étroite de la dimension des particules et une bonne largeur de bande sont obtenues avec un rendement important par un procédé simple, pouvant être mis à l'échelle. Le procédé met en jeu la réaction de CuXa 2, MXb 3 et L2Y dans l'eau pour former des nanoparticules d'une chalcopyrite de formule Cuw(InxGa1-X)SySe2-Y où Xa et Xb sont identiques ou différents et sont des halogènes, M est Ga ou In, L est un métal alcalin, Y est S ou Se, w est un nombre de 0,8 à 1,2, x est un nombre de 0 à 1, et y est un nombre de 0 à 2. Les nanoparticules sont utiles pour produire des films de semi-conducteur pour des dispositifs photovoltaïques, par exemple des cellules solaires, des diodes d'émission de lumière et des photodétecteurs.
Aouadou Abdelillah
Bensebaa Farid
Koenig Hans
National Research Council Canada
LandOfFree
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