H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/10 (2006.01) H01L 29/15 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)
Patent
CA 2406642
An extracting transistor (10) - an FET - includes a conducting channel extending via a p-type InSb quantum well (22) between p-type InA1Sb layers (20, 24) of wider band-gap. One of the InA1Sb layers (24) incorporates an ultra-thin n-type .delta.-doping layer (28) of Si, which provides a dominant source of charge carriers for the quantum well (22). It bears n+ source and drain electrodes (30a, 30b) and an insulated gate (30c). The other InA1Sb layer (20) adjoins a barrier layer (19) of still wider band-gap upon a substrate layer (14) and substrate (16) with electrode (18). Biasing one or both of the source and drain electrodes (30a, 30b) positive relative to the substrate electrode (18) produces minority carrier extraction in the quantum well (22) reducing its intrinsic contribution to conductivity, taking it into an extrinsic saturated regime and reducing leakage current.
Cette invention se rapporte à un transistor d'extraction (10), du type transistor à effet de champ (FET), qui comprend un canal conducteur s'étendant via un puits quantique InSb de type p (22) entre des couches InAlSb de type p (20, 24) à largeur de bande interdite étendue. L'une de ces couches InAlSb (24) contient une couche dopante .delta. de type n ultramince (28) en Si, qui fournit une source dominante de porteurs de charge pour le puits quantique. Elle sert de support à des électrodes de drain et de source de n?+¿ (30a, 30b) et à une grille isolée (30c). L'autre couche InAlSb (20) est contiguë à une couche barrière (19) de largeur de bande interdite plus étendue, sur une couche de substrat (14) et sur un substrat (16) avec électrode (18). La polarisation de l'une et/ou l'autre des électrodes de drain et de source (30a, 30b) de façon positive par rapport à l'électrode (18) du substrat, produit une extraction des porteurs minoritaires dans le puits quantique (22) réduisant sa contribution intrinsèque à la conductivité, lui conférant un régime saturé extrinsèque et réduisant le courant de fuite.
Fetherstonhaugh & Co.
Qinetiq Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1978963