H - Electricity – 03 – F
Patent
H - Electricity
03
F
H03F 3/45 (2006.01) H03F 1/22 (2006.01) H03F 3/345 (2006.01)
Patent
CA 2244720
A charge sensitive amplifier with high common mode signal rejection includes an NPN bipolar junction transistor (BJT) and a P-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) connected in a totem pole circuit configuration. The BJT base terminal receives a dc reference voltage, the MOSFET gate terminal receives the incoming data signal, the MOSFET drain terminal is grounded and the BJT collector terminal provides the output voltage signal and is biased by the power supply through a resistive circuit element. The MOSFET operates as a source follower amplifier with the transconductance of the BJT serving as the load at the source terminal, while the BJT operates as a common emitter amplifier with the transconductance of the MOSFET providing emitter degeneration. The signal gains of such source follower and common emitter amplifiers are substantially equal and of opposite polarities. Therefore, any common mode signal components due to common mode input signals present at the input terminals (i.e., the BJT base and MOSFET gate terminals) which would otherwise appear within the output signal are substantially cancelled, thereby resulting in a high degree of common mode signal rejection.
La présente invention concerne un amplificateur réagissant à la charge et capable d'un taux élevé d'élimination du signal en mode commun, et qui comporte, d'une part un transistor bipolaire à jonction ou "BJT" (bipolar junction transistor) de type NPN, et un transistor MOSFET à canal P, lesquels transistors sont montés en circuit à totem pôle. La borne de la base BJT reçoit une tension de référence, la borne de grille du MOSFET reçoit le signal de données entrant, la borne de drain du MOSFET est mise à la masse, et la borne collecteur du BJT, qui donne le signal en tension de sortie, est polarisée par l'alimentation électrique au moyen d'un élément à circuit résistant. Le MOSFET travaille comme amplificateur à source suiveuse lorsque la transconductance du BJT sert de charge à la borne source, le BJT travaillant comme amplificateur à émetteur commun lorsque la transconductance du MOSFET assure la contre-réaction de l'émetteur. Les gains de signal d'une telle source suiveuse et des amplificateurs à émetteur commun sont sensiblement égaux et de polarités opposées. Il en résulte la suppression sensiblement totale de toutes les composantes de signal du mode commun correspondant à des signaux d'entrée du mode commun présents au niveau des bornes d'entrée (c'est-à-dire les bornes base du BJT et grille du MOSFET) qui, sinon, se manifesteraient dans le signal de sortie. L'invention permet ainsi un taux élevé d'élimination du signal en mode commun.
Allen Max J.
Colbeth Richard E.
Mallinson Martin
R. William Wray & Associates
Varian Associates Inc.
Varian Medical Systems Inc.
LandOfFree
Charge sensitive amplifier with high common mode signal... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Charge sensitive amplifier with high common mode signal..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Charge sensitive amplifier with high common mode signal... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1473378