Chemical surface deposition of ultra-thin semiconductors

H - Electricity – 01 – L

Patent

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H01L 21/20 (2006.01) C23C 6/00 (2006.01) C23C 18/12 (2006.01) C23C 26/02 (2006.01) H01L 21/36 (2006.01) H01L 21/368 (2006.01)

Patent

CA 2458620

A chemical surface deposition process for forming an ultra-thin semiconducting film of Group IIB-VIA compounds onto a substrate. This process eliminates particulates formed by homogeneous reactions in bath, dramatically increases the utilization of Group IIB species, and results in the formation of a dense, adherent film for thin film solar cells. The process involves applying a pre- mixed liquid coating composition containing Group IIB and Group VIA ionic species onto a preheated substrate. Heat from the substrate causes a heterogeneous reaction between the Group IIB and VIA ionic species of the liquid coating composition, thus forming a solid reaction product film on the substrate surface.

L'invention concerne un procédé chimique de dépôt en surface permettant de former, sur un substrat, un film ultra mince de semi-conducteur de composés des groupes IIB-VIA. Ce procédé permet d'éliminer les particules formées par des réactions homogènes en bain, permet d'augmenter de façon considérable l'utilisation d'espèces du groupe IIB, et a pour résultat la formation d'une couche dense, adhérente, destinée à des cellules solaires à couche mince. Le procédé consiste à appliquer une composition liquide de revêtement prémélangée contenant des espèces ioniques des groupes IIB et VIA sur un substrat préchauffé. La chaleur dégagée par le substrat provoque une réaction hétérogène entre les espèces ioniques des groupes IIB et VIA de la composition liquide de revêtement, avec pour résultat la formation, sur la surface du substrat, d'un film solide de produit de réaction.

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