C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/00 (2006.01) B05D 1/36 (2006.01) B29C 71/04 (2006.01)
Patent
CA 2595761
A chemical vapor deposition (CVD) process for preparing electrical and optical chalcogenide materials. In a preferred embodiment, the instant CVD-deposited materials exhibit one or more of the following properties: electrical switching, accumulation, setting, reversible multistate behavior, resetting, cognitive functionality, and reversible amorphous-crystalline transformations. In one embodiment, a multilayer structure, including at least one layer containing a chalcogen element, is deposited by CVD and subjected to post- deposition application of energy to produce a chalcogenide material having properties in accordance with the instant invention. In another embodiment, a single layer chalcogenide material having properties in accordance with the instant invention is formed from a CVD deposition process including three or more deposition precursors, at least one of which is a chalcogen element precursor. Preferred materials are those that include the chalcogen Te along with Ge and/or Sb.
L'invention porte sur un procédé de dépôt chimique en phase vapeur ("chemical vapor deposition" ou CVD) qui permet de préparer des matériaux chalcogénures électriques et optiques. Dans un mode de réalisation préféré, les matériaux qui viennent d'être déposés par CVD possèdent au moins l'une des propriétés suivantes: commutation électrique, accumulation, durcissement, comportement multiétats réversible, redurcissement, fonctionnalité cognitive, et transformations amorphes-cristallines réversibles. Dans un mode de réalisation, une structure multicouches, comprenant au moins une couche contenant un élément chalcogène, est déposée par CVD et soumise après le dépôt à une application d'énergie qui est destinée à produire un matériau chalcogénure possédant des propriétés conformes à celles de l'invention. Dans un autre mode de réalisation, on forme un matériau chalcogénure monocouche possédant des propriétés conformes à l'invention selon un procédé de dépôt par CVD faisant appel à au moins trois précurseurs de dépôt, dont l'un au moins est un précurseur d'élément chalcogène. Les matériaux préférés sont ceux qui comprennent le chalcogène Te avec du Ge et/ou du Sb.
Kamepalli Smuruthi
Ovshinsky Stanford R.
Energy Conversion Devices Inc.
Macrae & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1352900