Chemical vapour infiltration process of a material within a...

C - Chemistry – Metallurgy – 04 – B

Patent

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Details

C04B 35/83 (2006.01) C04B 41/45 (2006.01) C23C 16/00 (2006.01)

Patent

CA 2174309

The substrate (30) is placed inside a housing (34) and is heated by direct electromagnetic coupling by means of an inductor (38) in order to set up a temperature gradient within the substrate so that the latter has a temperature higher in the portions remote from its exposed surfaces than on said exposed surfaces. A reactional gas phase precursor of the material to be infiltrated is introduced into the housing, formation of the precursor being enhanced in the portions of the substrate having the higher temperature. According to the invention, the substrate is comprised of a fibrous texture wherein the ratio r/c between the transverse electrical resistivity and the longitudinal electrical resistivity is at least equal to 1.3 and the ratio .lambda.r/.lambda.c between the transverse thermal conductivity and the longitudinal thermal conductivity is at the most equal to 0.9, and the substrate is situated entirely within the field produced by the inductor, the substrate and the inductor occupying positions which are fixed with respect to each other. Advantageously, the substrate is comprised of a needled fibrous structure having a volume proportion of fibers at least equal to 20 %.

Le substrat (30) est placé dans une enceinte (34) et est chauffé par couplage électromagnétique direct avec un inducteur (38) pour permettre l'établissement d'un gradient de température au sein du substrat, de sorte que celui-ci présente une température plus élevée dans des parties éloignées de ses surfaces exposées qu'au niveau de celles-ci. Une phase gazeuse réactionnelle précurseur du matériau à infiltrer est admise dans l'enceinte, la formation de celui-ci étant favorisée dans les parties du substrat de température plus élevée. Selon l'invention, le substrat est constitué par une texture fibreuse dans laquelle le rapport ?¿r?/?¿c? entre la résistivité électrique transversale et la résistivité électrique longitudinale est au moins égal à 1,3 et le rapport .lambda.¿r?/.lambda.¿c? entre la conductivité thermique transversale et la conductivité thermique longitudinale est au plus égal à 0,9, et le substrat est situé entièrement dans le champ produit par l'inducteur, le substrat et l'inducteur occupant des positions fixes l'une par rapport à l'autre. Avantageusement, le substrat est constitué par une structure fibreuse aiguilletée ayant un taux volumique de fibres au moins égal à 20 %.

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