Circuit for linearizing electronic devices

H - Electricity – 04 – B

Patent

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Details

H04B 1/10 (2006.01) H03F 1/34 (2006.01) H03F 3/19 (2006.01) H04B 15/00 (2006.01) H05K 9/00 (2006.01)

Patent

CA 2427913

A radio frequency amplifier with improved linearity and minimal third-order distortion. The amplifier includes a first transistor having first, second and third terminals with the first terminal being an input terminal and the second terminal being the output terminal and the third terminal being a common terminal. A linearization circuit is included having first and second terminals. The first terminal is connected to the common terminal of the transistor and the second terminal is connected to the input terminal of the transistor. In a specific embodiment, the linearization circuit is implemented as a unity gain buffer with an input terminal connected to the common terminal of the transistor and an output terminal connected to the input terminal of the transistor. In accordance with the inventive teachings, the buffer has a low gain and high output impedance at first frequency (f1) of a first signal applied to the circuit and a second frequency (f2) of a second signal applied to the circuit and a unity gain and low output impedance a difference between the first and second frequencies. In another specific embodiment, the inductor is inserted between the output of the unity gain buffer and the input terminal of the transistor. In alternative embodiments, circuitry is shown for providing a direct current offset at the input of the transistor. As another alternative, the linearization circuit consists of series inductor and capacitor connected between the common and input terminals of the transistor. In yet another embodiment, the linearization circuit consists of the first and the second series inductor and capacitor circuits. The first series LC circuit is connected between the common terminal of the transistor and ground and the second series LC circuit is connected between the input terminal of the transistor and ground.

Selon la présente invention, un amplificateur de fréquences radio présente une linéarité améliorée et une distorsion de troisième ordre minimale. L'amplificateur comprend un premier transistor pourvu d'une première, d'une deuxième et d'une troisième borne, lesquelles sont respectivement une borne d'entrée, de sortie et une borne commune. Un circuit de linéarisation, comportant une première et une seconde borne, est utilisé. Ladite première borne est connectée à la borne commune du transistor et ladite seconde borne est connectée à la borne d'entrée du transistor. Dans un mode de réalisation spécifique de l'invention, le circuit de linéarisation est utilisé en tant que séparateur de gain unitaire, une borne d'entrée étant connectée à la borne commune du transistor et une borne de sortie étant connectée à la borne d'entrée du transistor. Selon l'invention, le séparateur présente un gain faible et une impédance de sortie élevée à une première fréquence (f1) d'un premier signal envoyé au circuit, et à une seconde fréquence (f2) d'un second signal envoyé au circuit, et présente un gain unitaire et une impédance de sortie faible à une fréquence différence entre la première et la seconde fréquence. Dans un autre mode de réalisation spécifique de l'invention, la bobine d'induction est insérée entre la sortie du séparateur de gain unitaire et la borne d'entrée du transistor. Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, les circuits sont utilisés pour assurer un décalage de courant continu au niveau de l'entrée du transistor. Selon une variante, le circuit de linéarisation comprend une bobine d'induction et un condensateur en série connectés entre la borne commune et la borne d'entrée du transistor. Selon une autre variante, le circuit de linéarisation comprend le premier et le second circuit de bobine d'induction et de condensateur en série. Le premier circuit LC en série est connecté entre la borne commune du transistor et la terre, et le second circuit LC en série est connecté entre la borne d'entrée du transistor et la terre.

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