H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
Patent
CA 2552704
Semi-insulating Group III nitride layers and methods of fabricating semi- insulating Group III nitride layers include doping a Group III nitride layer with a shallow level p-type dopant and doping the Group III nitride layer with a deep level dopant, such as a deep level transition metal dopant. Such layers and/or method may also include doping a Group III nitride layer with a shallow level dopant having a concentration of less than about 1× 1017 cm-3 and doping the Group III nitride layer with a deep level transition metal dopant. The concentration of the deep level transition metal dopant is greater than a concentration of the shallow level p-type dopant.
L'invention concerne des couches de nitrures du Groupe III semi-isolantes et des procédés de fabrication de couches de nitrures du Groupe III semi-isolantes consistant à doper une couche de nitrures du Groupe III avec un dopant de type p à niveau peu profond et à doper la couche de nitrures du Groupe III avec un dopant à niveau profond. Ces couches et/ou ce procédé peuvent aussi consister à doper une couche de nitrures du Groupe III avec un dopant à niveau peu profond possédant une concentration inférieure à 1 x 10?17¿ cm?3¿ et à doper la couche de nitrures du Groupe III avec un dopant de métal de transition à niveau profond. La concentration du dopant de métal de transition à niveau profond est supérieure à la concentration du dopant de type p à niveau peu profond.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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