Colorless single-crystal cvd diamond at rapid growth rate

Details Colorless single-crystal cvd diamond at rapid growth rate Colorless single-crystal cvd diamond at rapid growth rate

C - Chemistry, Metallurgy

01

B

C01B 31/06 (2006.01)

Patent

CA 2608933

The present invention relates to a method for producing colorless, single- crystal diamonds at a rapid growth rate. The method for diamond production includes controlling temperature of a growth surface of the diamond such that all temperature gradients across the growth surface of the diamond are less than about 20 0C, and growing single-crystal diamond by microwave plasma chemical vapor deposition on the growth surface of a diamond at a growth temperature in a deposition chamber having an atmosphere, wherein the atmosphere comprises from about 8 % to about 20 % CH4 per unit of H2 and from about 5 to about 25 % O2 per unit of CH4. The method of the invention can produce diamonds larger than 10 carats. Growth rates using the method of the invention can be greater than 50 µm/hour.

La présente invention a trait à un procédé pour la production de diamants monocristallins incolores à une vitesse de croissance rapide. Le procédé pour la production de diamants comprend le contrôle de la température d'une surface de croissance du diamant de sorte que tous les gradients de température sur toute la surface de croissance du diamant soient inférieurs à environ 20 °C, et la croissance de diamant monocristallin par dépôt chimique en phase vapeur par plasma sur la surface de croissance d'un diamant à une température de croissance dans une enceinte de dépôt ayant une atmosphère, ladite atmosphère comportant entre environ 8 % et environ 20 % de CH4 par unité de H2 et entre environ 5 et environ 25 % de O2 par unité de CH4. Le procédé de l'invention peut produire des diamants supérieurs à 10 carats. Des vitesses de croissance au moyen du procédé de l'invention peuvent être supérieures à 50 µm/heure.

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