H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/146 (2006.01) H01L 31/0216 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
Patent
CA 2457899
The invention concerns a colour image sensor for producing a miniature camera, and a method for making same. The image sensor comprises a transparent substrate (40) at the upper surface of which are superimposed successively a coloured filter mosaic (18), a very thin silicon layer (30) including photosensitive zones, and a stack of conductive (14) and insulating (16) layers defining image detection circuits for collecting electric loads generated by the illumination of the photosensitive zones through the transparent substrate. The transparent substrate (40) is made of glass or plastic material. The manufacturing method consists in producing the photosensitive circuits on a silicon wafer, transferring said wafer onto a provisional substrate, thinning the wafer down to a thickness of about 3 to 20 micrometers, depositing coloured filters on the surface of the remaining silicon layer, and transferring the structure on a permanent transparent substrate and eliminating the provisional substrate.
L'invention concerne un capteur d'image en couleur permettant de réaliser une caméra miniature, et un procédé de fabrication correspondant. Le capteur d'image comporte un substrat transparent (40) à la partie supérieure duquel sont superposés dans l'ordre une mosaïque de filtres colorés (18), une couche de silicium très mince (30) comportant des zones photosensibles, et un empilement de couches conductrices (14) et isolantes (16) définissant des circuits de détection d'image permettant de recueillir des charges électriques générées par l'illumination des zones photosensibles à travers le substrat transparent. Le substrat transparent (40) est en verre ou en matière plastique. Le procédé de fabrication consiste à fabriquer les circuits photosensibles sur une tranche de silicium, à reporter cette tranche sur un substrat de support provisoire, à amincir la tranche jusqu'à une épaisseur d'environ 3 à 20 micromètres, à déposer des filtres colores sur la surface de la couche de silicium subsistante, et à reporter la structure sur un substrat définitif transparent et à éliminer le substrat provisoire.
Brissot Louis
Pourquier Eric
Atmel Grenoble S.a.
E2v Semiconductors
Goudreau Gage Dubuc
LandOfFree
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