C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 30/00 (2006.01) C23C 14/00 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23F 1/00 (2006.01) C23G 1/00 (2006.01) C25F 5/00 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
Patent
CA 2511833
A film-forming apparatus component having a structure that enables to separate an adherent film (d) formed on the component in a shorter time than conventional and to reduce damages caused by a cleaning liquid (S) is disclosed. A method for cleaning such a component is also disclosed. On the surface of a base-material metal (1) of the component is formed a metal film layer (2) which is electrochemically baser than the base-material metal (1) by a method such as spraying, deposition, sputtering, lamination or the like; or a second metal film layer (3) which is electrochemically more noble than the base-material metal (1) is formed on the surface of the metal film layer (2) by the above-mentioned method such as spraying. Consequently, a local cell is formed between the metal film layer (2) and the base-material metal (1) or between the metal film layer (2) and the second metal film layer (3), thereby enabling to separate an adherent film (d) deposited on the base-material metal (1) in a considerably short time without having the base-material metal (1) itself suffer from damages caused by a cleaning liquid (S).
L'invention concerne un composant d'appareil filmogène possédant une structure permettant de séparer un film adhésif (d) formé sur le composant plus rapidement, comparativement aux procédés classiques, et de réduire des dommages causés par un liquide de nettoyage (S). L'invention concerne également un procédé de nettoyage d'un tel composant. Sur la surface d'un métal de matériau de base (1) du composant est formée une couche de film métallique (2), plus basique sur le plan électrochimique que le métal de matériau de base (1), au moyen d'un procédé, tel que l'atomisation, la déposition, la pulvérisation, la stratification ou analogue ; ou une seconde couche de film métallique (3), plus noble sur le plan électrochimique que le métal de matériau de base (1), est formée sur la surface de la couche de film métallique (2), au moyen d'un procédé susmentionné tel que l'atomisation. Par conséquent, une cellule locale est formée entre la couche de film métallique (2) et le métal de matériau de base (1) ou entre la couche de film métallique (2) et la seconde couche de film métallique (3), permettant ainsi de séparer un film adhésif (d) déposé sur le métal de matériau de base (1) de manière nettement plus rapide, sans qu'un liquide de nettoyage (S) cause des dommages au métal de matériau de base (1).
Hirata Akisuke
Isoda Shinji
Kadowaki Yutaka
Mushiake Katsuhiko
Mckay-Carey & Company
Ulvac Inc.
LandOfFree
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