Composite sputter target and phosphor deposition method

C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C

Patent

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C23C 14/00 (2006.01) C09K 11/77 (2006.01) C09K 11/80 (2006.01) C09K 11/84 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) H05B 33/14 (2006.01)

Patent

CA 2508523

The invention is a novel sputter target and deposition method for multi- element thin film phosphors for thick film dielectric electroluminescent displays in which the deposited phosphors provide a high luminance and colors required for TV applications. The method comprises sputtering a single composite target in a low pressure sputtering atmosphere that comprises gases containing reactive species and non-reactive species. The composite target comprising a matrix phase and an inclusion phase, or two matrix phases, wherein one of the phases comprises one or more metallic elements that contribute to the composition of the phosphor and the other of the phases comprises the remaining elements that contribute to the composition of the phosphor. In the method the pressure of the reactive species within the sputtering atmosphere is varied to control the sputtering rate of the matrix and inclusion phases of the composite target to cause the ratio of the elements in the two phases to deposit in a desired ratio as a phosphor film on the substrate.

La présente invention concerne une nouvelle cible de pulvérisation et un procédé de dépôt pour des phosphores en couche mince multi-éléments destinés à des écrans électroluminescents diélectriques en couche épaisse. Les phosphores déposés confèrent une grande luminance et les couleurs nécessaires pour des applications de télévision. Ce procédé consiste à pulvériser une seule cible composite dans une atmosphère de pulvérisation à basse pression qui comprend des gaz contenant des espèces réactives et des espèces non réactives. La cible composite comprend une phase matricielle et une phase d'inclusion ou deux phases matricielles. Une des phases comprend un ou plusieurs éléments métalliques qui participent à la composition du phosphore et l'autre des phases comprend les éléments restants qui participent à la composition du phosphore. Dans le procédé, on fait varier la pression des espèces réactives dans l'atmosphère de pulvérisation afin de commander le taux de pulvérisation de la matrice et des phases d'inclusion de la cible composite pour que le taux des éléments dans les deux phases se dépose dans un taux souhaité sous forme de film de phosphore sur le substrat.

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