C - Chemistry – Metallurgy – 25 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
25
C
C25C 1/18 (2006.01) C09G 1/02 (2006.01) H01L 21/321 (2006.01) H01L 21/44 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01)
Patent
CA 2508332
A family of slurries are disclosed which are useful in modifying exposed surfaces of wafers for semiconductor fabrication are provided along with methods of modifying exposed surfaces of wafers for semiconductor fabrication utilizing such a family of working slurries, and semiconductor wafers. The slurries of the invention are comprised of a liquid carrier; a sulfurbearing compounds capable of converting copper to copper sulfide; optionally, abrasive particles (polishing agent; optionally a chelating agent; optionally a buffering agent; optionally, a stopping compound; optionally, other additives; and optionally, a co-solvent. The method of the invention comprises the steps of: a) providing a wafer comprising a first material having a surface etched to form a pattern and a second material deposited over the surface of the first material; b) contacting the second material of the wafer with abrasive in the presence of the working slurry; and c) relatively moving the wafer or polishing pad or both while the second material is in contact with the slurry and abrasive particles until an exposed surface of the wafer is planar and comprises at least one area of exposed first material and one area of exposed second material.
L'invention concerne une famille de boues utiles pour modifier des surfaces exposées de plaquettes destinées à la fabrication de semi-conducteurs. L'invention concerne également des procédés de modification de surfaces exposées de plaquettes destinées à la fabrication de semi-conducteurs, faisant appel à une telle famille de boues de travail ; et des plaquettes semi-conductrices. Les boues de l'invention sont constituées d'un support liquide; de composés porteurs de soufre permettant de convertir le cuivre en sulfure de cuivre; éventuellement, de particules abrasives (agent de polissage); éventuellement, d'un agent de chélation; éventuellement, d'un agent tampon; éventuellement, d'un composé d'arrêt, éventuellement, d'autres additifs; et éventuellement, d'un co-solvant. Le procédé de l'invention comprend les étapes consistant à: a) fournir une plaquette comprenant un premier matériau présentant une surface gravée pour former un motif et un second matériau déposé sur la surface du premier matériau; b) à mettre en contact le second matériau de la plaquette avec un abrasif, en présence de la boue de travail; et c) à déplacer de manière relative la plaquette ou le tampon de polissage, ou les deux, pendant que le second matériau est en contact avec la boue et les particules abrasives, jusqu'à ce qu'une surface exposée de la plaquette devienne plane et comprenne au moins une zone du premier matériau qui soit exposée, et une zone du second matériau qui soit exposée.
Carroll Glenn
Janney Patrick K.
Martyak Nicholas M.
Nosowitz Martin
Arkema Inc.
Borden Ladner Gervais Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1708765