H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 39/24 (2006.01) C03C 17/34 (2006.01) C04B 41/52 (2006.01) C04B 41/89 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) H01L 39/16 (2006.01) C23C 16/02 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01)
Patent
CA 2308480
The inventive superconductor construction (2) comprises a composite body (3) consisting of an electroinsulating substrate (4) with an intermediate layer (5) which is located on said substrate, a buffer layer (6) which is deposited on the intermediate layer (5) and a layer (7) consisting of a metal oxide high Tc superconductor material which is deposited on the buffer layer (6). According to the invention, the intermediate layer (5) consists of a glass material with a thermal expansion coefficient of over 6 . 10-6 K-1. According to the inventive method for producing the construction, at least one depositing technique with a maximum temperature which is at the most 150 K higher than the transition temperature of the glass material is used.
L'invention concerne une structure supraconductrice (2) qui comprend un corps composite (3) constitué d'un substrat électro-isolant (4) sur lequel se trouvent une couche intermédiaire (5), une couche tampon (6) déposée sur cette couche intermédiaire, ainsi qu'une couche (7) constituée d'un matériau supraconducteur à haute température de transition, à oxyde métallique, déposée sur ladite couche tampon. Selon l'invention, la couche intermédiaire (5) doit être constituée d'un verre dont le coefficient de dilatation thermique est supérieur à 6 . 10?-6¿ K?-1¿. Pour produire ladite structure, on sélectionne au moins un procédé de dépôt avec lequel la température maximale est, au maximum, supérieure de 150 K à la température de transformation du verre.
Aktiengesellschaft Siemens
Fetherstonhaugh & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1969579