H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/285 (2006.01) H01S 5/02 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2486219
A method of performing quantum well intermixing in a semiconductor device structure uses a sacrificial part of a cap layer, that is removed after QWI processing, to restore the cap surface to a condition in which high performance contacts are still possible. The method includes: a) forming a layered quantum well structure including a doped cap layer; b) forming an etch stop layer over said cap layer; c) forming a sacrificial layer over said etch stop layer, said etch stop layer having a substantially lower etch rate than said sacrificial layer when exposed to predetermined etch conditions; d) carrying out a quantum well intermixing process on the device structure, which process induces significant damage to at least a portion of the sacrificial layer; e) removing the sacrificial layer in at least a contact region of the device using an etch procedure selective against the etch stop layer to expose said etch stop layer in the contact region; and f) forming a contact over the layered quantum well structure in at least said contact region.
L'invention concerne un procédé permettant de réaliser une interdiffusion de puits quantiques (QWI) dans une structure de dispositif à semi-conducteurs. Ce procédé utilise une partie sacrificielle d'une couche superficielle, qui est supprimée après une QWI, pour rétablir la surface superficielle de sorte que les contacts haute performance restent possibles. Ce procédé comprend les étapes qui consistent à : a) former une structure multicouche de puits quantique qui comporte une couche superficielle dopée ; b) former une couche d'arrêt d'attaque chimique au-dessus de ladite couche superficielle ; c) former une couche sacrificielle sur cette couche d'arrêt d'attaque chimique, qui présente un taux d'attaque chimique sensiblement inférieur à celui de la couche sacrificielle à des conditions d'attaque chimique prédéterminées ; d) réaliser une interdiffusion de puits quantiques sur la structure du dispositif, ce processus détériorant significativement au moins une partie de la couche sacrificielle ; e) supprimer la couche sacrificielle dans au moins une zone de contact du dispositif, au moyen d'une attaque chimique sélective par rapport à la couche d'arrêt d'attaque chimique, pour exposer ladite couche d'arrêt d'attaque chimique dans la zone de contact ; et f) former un contact sur la structure multicouche de puits quantique, au moins dans cette zone de contact.
Liu Xuefeng
Mcdougall Stewart Duncan
Najda Stephen
Borden Ladner Gervais Llp
Intense Limited
Intense Photonics Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2069576