H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/20 (2006.01) G02B 6/10 (2006.01) G02B 6/42 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01)
Patent
CA 2541961
A semiconductor laser device incorporates a beam control layer (42, 41) for reducing far field and beam divergence. Within the beam control layer, a physical property of the semiconductor material varies as a function of depth through, the beam control layer, by provision of a first sub-layer (42) in which the property varies gradually from a first level to a second level, and a second sub-layer (41) in which the property varies from said second level to a third level. In the preferred arrangement, the conduction band edge of the semiconductor has a V-shaped profile through the beam control layer.
Un dispositif laser à semi-conducteur comporte une couche de commande de faisceau (42, 41) permettant de réduire le champ lointain et la divergence du faisceau. A l'intérieur de la couche de commande du faisceau, une propriété physique du matériau semi-conducteur varie en fonction de la profondeur de traversée de la couche de commande du faisceau, grâce à l'existence d'une première sous-couche (42) dans laquelle la propriété varie progressivement d'un premier niveau à un deuxième, et d'une deuxième sous-couche (41) dans laquelle la propriété varie de ce deuxième niveau à un troisième niveau. Dans l'agencement préféré, le bord de la bande de conduction du semi-conducteur présente un profil en V dans la traversée de la couche de commande du faisceau.
Borden Ladner Gervais Llp
Intense Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1551339