H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 39/24 (2006.01)
Patent
CA 2295194
An oxide superconductor article is provided having an oxide superconductor film having a thickness of greater than 0.5 microns disposed on a substrate, said article having a transport critical current density (Jc) of greater than or equal to about 105 A/cm2 at 77K, zero field. The oxide superconductor film is characterized by high Jc and high volume percent of c-axis epitaxial oxide grains, even with thicknesses of up to 1 micron. The oxide superconductor article is prepared by providing a metal oxyfluoride film, said metal oxyfluoride film comprising the constituent metallic elements of an oxide superconductor in substantially stoichiometric proportions; and converting the metal oxyfluoride into the oxide superconductor at a rate of conversion selected by adjusting a reaction parameter selected from the group consisting of temperature, PH2O, PO2, and time and combinations thereof, such that an oxide superconductor film having a transport critical current density of greater than or equal to about 105 A/cm2at 77K, zero field is obtained.
L'invention concerne un article en oxyde supraconducteur, doté d'un film en oxyde supraconducteur ayant une épaisseur supérieure à 0,5 microns et placé sur un substrat. Ledit article présente une densité de courant critique de transport (J¿c?) supérieure ou égale à environ 10?5¿ A/cm?2¿ à 77K, champ nul. Ledit film se caractérise par un Jc et un pourcentage volumique élevé de grains d'oxyde épitaxiaux, même avec des épaisseurs pouvant atteindre 1 micron. On prépare ledit article en oxyde supraconducteur en fournissant un film d'oxyfluorure de métal, lequel comprend les éléments métalliques d'un oxyde supraconducteur dans des proportions sensiblement stoechiométriques; et en convertissant ledit oxyfluorure de métal en oxyde supraconducteur à une vitesse de conversion choisie par l'ajustement d'un paramètre de sélection sélectionné dans le groupe constitué de la température, de P¿H2O?, P¿O2?, du temps et des combinaisons de ces derniers, de sorte qu'un film d'oxyde supraconducteur ayant une densité de courant critique de transport supérieure ou égale à environ 10?5¿ A/cm?2¿ à 77K, champ nul.
Cima Michael J.
Smith John A.
Sonnenberg Neville
Massachusetts Institute Of Technology
Mbm & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1903919