H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 51/42 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
Patent
CA 2658166
An optoelectronic device and a method of fabricating a photosensitive optoelectronic device includes depositing a first organic semiconductor material on a first electrode to form a continuous first layer having protrusions, a side of the first layer opposite the first electrode having a surface area at least three times greater than an underlying lateral cross-sectional area; depositing a second organic semiconductor material directly on the first layer to form a discontinuous second layer, portions of the first layer remaining exposed; depositing a third organic semiconductor material directly on the second layer to form a discontinuous third layer, portions of at least the second layer remaining exposed; depositing a fourth organic semiconductor material on the third layer to form a continuous fourth layer, filling any exposed gaps and recesses in the first, second, and third layers; and depositing a second electrode on the fourth layer, wherein at least one of the first electrode and the second electrode is transparent, and the first and third organic semiconductor materials are both of a donor-type or an acceptor-type relative to second and fourth organic semiconductor materials, which are of the other material type.
L'invention concerne un dispositif optoélectronique et un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique photosensible qui comprend les étapes consistant à déposer un premier matériau organique semi-conducteur sur une première électrode afin de former une première couche continue présentant des saillies, un côté de la première couche opposé à la première électrode ayant une aire de surface au moins trois fois supérieure à une aire de coupe transversale latérale sous-jacente ; à déposer un deuxième matériau organique semi-conducteur directement sur la première couche afin de former une deuxième couche discontinue, des parties de la première couche restant exposées ; à déposer un troisième matériau organique semi-conducteur directement sur la deuxième couche afin de former une troisième couche discontinue, des parties d'au moins la deuxième couche restant exposées ; à déposer un quatrième matériau organique semi-conducteur sur la troisième couche afin de former une quatrième couche continue, en remplissant tous les intervalles et évidements exposés dans les première, deuxième et troisième couches ; et à déposer une seconde électrode sur la quatrième couche, au mois une de la première électrode et de la seconde électrode étant transparente et les premier et troisième matériaux organiques semi-conducteurs étant tous deux de type donneur ou de type accepteur par rapport aux deuxième et quatrième matériaux organiques semi-conducteurs qui sont de l'autre type de matériau.
Forrest Stephen R.
Yang Fan
Smart & Biggar
The Regents Of The University Of Michigan
The Trustees Of Princeton University
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2040602