C - Chemistry – Metallurgy – 25 – D
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
25
D
C25D 21/14 (2006.01) C25D 21/20 (2006.01)
Patent
CA 2305456
A plating system (10) and method are provided for electroplating silicon wafers with copper using an insoluble anode (13) wherein the electrolyte is agitated or preferably circulated through an electroplating tank (11) of the system and a portion of the electrolyte is removed from the system when a predetermined operating parameter is met. A copper-containing solution having a copper concentration greater than the copper concentration of the removed portion is added to the copper plating system (10) simultaneously or after electrolyte removal, in a substantially equal amount to the electrolyte removed from the system and balances the amount of copper plated and removed in the removal stream. In a preferred method and system, an electrolyte holding tank (19) is provided which serves as a reservoir for circulating electrolyte. The addition of the copper-containing solution and removal of working electrolyte is also preferably made from the holding tank (19). The preferred apparatus is preferably cylindrical and is specially configured so that recirculating electrolyte enters near the anode (13) and exits near the cathode (12) with the outlet of the apparatus having a substantially continuous opening around the periphery of the electroplating tank (11) so that electrolyte exiting the tank has a substantially uniform flow across the surface of the cathode (12). The anode (13) is preferably circular and has a central through opening (13a) through which the entering electrolyte passes.
L'invention concerne un procédé et un système de dépôt chimique (10), destiné au revêtement électrolytique de plaquettes de silicium avec du cuivre, au moyen d'une anode insoluble (13), le procédé consistant à agiter l'électrolyte ou préférablement à le faire circuler à travers un réservoir (11) de revêtement électrolytique du système, et à enlever de ce système une portion de cet électrolyte lors de l'obtention d'un paramètre déterminé. On ajoute au système de dépôt chimique de cuivre (10), une solution contenant du cuivre dont la teneur est supérieure à celle de la portion enlevée, en même temps que l'on enlève l'électrolyte, ou après cet enlèvement, la solution ajoutée étant sensiblement égale en quantité à l'électrolyte enlevé du système et compensant la quantité de cuivre déposé et enlevé dans le flux d'enlèvement. Dans un système et procédé préférés, le réservoir (19) à électrolyte sert également de réservoir de circulation de l'électrolyte. L'addition de la solution contenant du cuivre et l'enlèvement de l'électrolyte de travail s'effectuent préférablement à partir de ce réservoir (19). De préférence, l'appareil est cylindrique et conçu spécialement pour que l'électrolyte de recirculation entre à proximité de l'anode (13) et sorte à proximité de la cathode (12), l'orifice de sortie de cet appareil présentant une ouverture sensiblement continue autour de la périphérie du réservoir de revêtement électrolytique (11), de façon que l'électrolyte sortant du réservoir s'écoule de manière sensiblement uniforme sur la surface de la cathode (12). L'anode (13) est préférablement circulaire et présente une ouverture centrale traversante (13a) dans laquelle on fait passer l'électrolyte entrant.
Haydu Juan B.
Hurtubise Richard W.
Too Elena H.
Enthone-Omi Inc.
Ogilvy Renault
LandOfFree
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