C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 11/00 (2006.01) C30B 15/10 (2006.01) C30B 35/00 (2006.01)
Patent
CA 2611858
The invention relates to a crucible for the crystallization of silicon and to the preparation and application of release coatings for crucibles used in the handling of molten materials that are solidified in the crucible and then removed as ingots, and more particularly to release coatings for crucibles used in the solidification of polycrystalline silicon. The objective of the inventor was to provide a crucible which does not require the preparation of a very thick coating at the end user facilities, which is faster and cheaper to produce and which presents an improved release effect and which allows the production of silicon ingot without cracks. It has now been found that these problems can be solved with a crucible for the crystallization of silicon comprising a) A base body comprising a bottom surface and side walls defining an inner volume; b) A substrate layer comprising 80 to 100 wt. % of silicon nitride at the surface of the side walls facing the inner volume c) an intermediate layer comprising 50 to 100 wt. % of silica on the top of the substrate layer; and d) A surface layer comprising 50 to 100 wt. % of silicon nitride, up to 50 wt. % of silicon dioxide and up to 20 wt % of silicon on the top of the intermediate layer.
L'invention concerne un creuset pour la cristallisation de silicium et la préparation et l'application de revêtements antiadhésifs pour des creusets utilisés lors de la manipulation de matières fondues qui sont solidifiées dans le creuset et ensuite enlevées sous forme de lingots et, plus particulièrement, des revêtements antiadhésifs pour des creusets utilisés lors de la solidification de silicium polycristallin. L'objet de l'inventeur était un creuset, lequel ne nécessite pas la préparation d'un revêtement très épais sur le site des installations de l'utilisateur final, lequel est plus rapide et plus économique à produire et lequel présente un meilleur effet antiadhésif et lequel permet la production d'un lingot de silicium sans fissures. Il a été désormais découvert qu'on peut résoudre ces problèmes avec un creuset pour la cristallisation du silicium comprenant a) un corps de base comprenant une surface inférieure et des parois latérales définissant un volume interne ; b) une couche de substrat comprenant 80 à 100 % en poids de nitrure de silicium sur la surface des parois latérales faisant face au volume interne ; c) une couche intermédiaire comprenant 50 à 100 % en poids de silice par-dessus la couche de substrat ; et d) une couche de surface comprenant 50 à 100 % en poids de nitrure de silicium, jusqu'à 50 % en poids de dioxyde de silicium et jusqu'à 20 % en poids de silicium par-dessus la couche intermédiaire.
Robic
Vesuvius Crucible Company
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2004292