Crystal growing method and crystal growing apparatus

Details Crystal growing method and crystal growing apparatus Crystal growing method and crystal growing apparatus

C - Chemistry, Metallurgy

30

B

C30B 29/58 (2006.01) C07H 21/00 (2006.01) C07K 1/14 (2006.01) C08H 1/00 (2006.01) C12N 9/00 (2006.01) C30B 7/00 (2006.01)

Patent

CA 2344518

A crystal growing apparatus comprises a solid-state device (22) having a region (22a) where valence electrons are so controlled that the density of holes or electrons in the surface portion is controlled according to the environment of a solution (23) containing a polymer compound and a heat- generating device (24) disposed near the region (22a). The region (22a) is an impurity region formed on a silicon semiconductor substrate. The heat- generating device (24) includes a Cr heating wire. A crystal growing method comprises heating a solution (23) by means of a heat-generating device (24). A crystal of a polymer compound is grown in the heated solution (23) in an electric state given to the surface of a region (22a).

La présente invention concerne un appareil de cristallogénèse comprenant un dispositif à semi-conducteur (22) présentant une région (22a) dans laquelle les électrons de valence sont fonction de la densité des électrons ou des trous dans la portion de surface, cette densité étant régulée par la présence d'une solution (23) contenant un composé polymère. Cet appareil comprend aussi un dispositif générateur de chaleur (24) disposé près de la région (22a). La région (22a) est une région d'impuretés formée sur un substrat semi-conducteur au silicium. Le dispositif générateur de chaleur (24) comprend un fil de chauffage en Cr. Un procédé de cristallogénèse consiste à chauffer une solution (23) au moyen du dispositif de chauffage (24). Par chauffage de la solution (23), on obtient une croissance de cristal de polymère dans un état électrique qui est donné à la surface d'une région (22a).

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