C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 15/26 (2006.01) C30B 15/10 (2006.01) C30B 15/12 (2006.01)
Patent
CA 2333194
Crystal growth apparatus comprising a crucible for containing a supply of molten material from which the crystal may be grown and first reflection means for receiving radiation directed along an input path and reflecting radiation towards second reflection means, whereby the second reflection means reflect output radiation along an output path. The first and second reflection means are arranged at or in close proximity with the surface of the molten material such that during crystal growth they maintain a substantially constant position relative to the surface of the molten material. The apparatus may comprise support means for supporting the first and second reflection means, whereby the support means are arranged to float on the molten material. The apparatus may be a single crucible apparatus or a double crucible apparatus. In the double crucible apparatus, the support means may be a second, inner crucible containing molten material in fluid communication with the molten material in the first crucible, whereby the inner crucible floats on the molten material in the first crucible and the first and second reflection means are supported on the inner crucible. The ap-paratus may also comprise image processing means for forming an image of the crystal or any part of the growth interface region and for determining crystal diameter measurement or meniscus diameter measurement during growth. The apparatus may also comprise means for controlling growth of the crystal in response to the measured crystal or meniscus region diameter. The invention also relates to a crucible for use in growing crystals and a crystal growth method.
L'invention concerne un appareil de développement des cristaux comportant un creuset conçu pour recevoir une charge de matériau fondu apte à la croissance des cristaux, et un premier système de réflexion qui reçoit un rayonnement orienté selon un trajet d'entrée et qui réfléchit ce rayonnement vers un second système de réflexion, lequel réfléchit le rayonnement sortant du premier système le long d'un trajet de sortie. Les premier et second systèmes de réflexion sont disposés à la surface du matériau fondu ou à proximité de celle-ci, de manière à conserver durant la croissance des cristaux une position sensiblement constante par rapport à la surface du matériau fondu. L'appareil peut comporter un système support qui soutient les premier et second systèmes de réflexion, ce système support étant disposé de manière à flotter sur le matériau fondu. L'appareil peut comprendre un seul creuset ou deux creusets. Avec un appareil à deux creusets, le système support peut se présenter sous la forme d'un second creuset interne renfermant le matériau fondu, en configuration d'échange de fluide avec le matériau fondu du premier creuset. Dans ces conditions, le creuset interne flotte sur le matériau fondu qui est à l'intérieur du premier creuset, et les premier et second systèmes de réflexion s'appuient sur le creuset interne. L'appareil peut aussi comprendre un système de traitement d'image qui permet de former une image des cristaux ou bien d'une partie quelconque de l'interface de croissance, et qui permet de mesurer durant la croissance le diamètre des cristaux ou le diamètre du ménisque. Enfin, l'appareil peut comprendre un système de contrôle de la croissance des cristaux par rapport au diamètre des cristaux ou de la zone du ménisque. L'invention concerne en outre un creuset destiné à être utilisé pour la croissance des cristaux et un procédé relatif à la croissance des cristaux.
Fetherstonhaugh & Co.
Qinetiq Limited
The Secretary Of State For Defence
LandOfFree
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